Rozpoznawanie izolowanych tranzystorów MOSFET z bramką warstwową

Bramka warstwy izolacyjnej typu MOSFET aliasMOSFET (zwany dalej MOSFET), który ma powłokę kabla z dwutlenku krzemu pośrodku napięcia bramki i drenu źródła.

MOSFET też jestKanał N i kanał P dwie kategorie, ale każda kategoria jest podzielona na drugi typ wzmocnienia i wyczerpywania światła, zatem w sumie istnieją cztery typy:Wzmocnienie kanału N, Wzmocnienie kanału P, wyczerpywanie światła w kanale N, typ wyczerpywania światła w kanale P. Ale gdy napięcie źródła bramki wynosi zero, prąd drenu również wynosi zero w rurze wzmocnionej. Jednakże, gdy napięcie źródła bramki wynosi zero, prąd drenu nie jest zerowy, są klasyfikowane jako lampy typu światłochłonnego.
Ulepszona zasada MOSFET:

Podczas pracy w środku źródła bramki nie wykorzystuje się napięcia, środek złącza PN źródła drenu jest w przeciwnym kierunku, więc nie będzie kanału przewodzącego, nawet jeśli środek źródła drenu jest pod napięciem, kanał przewodzący jest zamknięty, nie jest możliwe uzyskanie prądu roboczego zgodnie z. Kiedy środek źródła bramki plus napięcie w kierunku dodatnim osiągnie określoną wartość, w środku źródła drenu wytworzy się przewodzący kanał bezpieczeństwa, tak że rowek przewodzący właśnie wytworzony przez to napięcie źródła bramki nazywany jest napięciem otwartym VGS, im większy środek napięcia źródła bramki, tym rowek przewodzący jest szerszy, co z kolei powoduje większy przepływ prądu.

Zasada rozpraszania światła MOSFET:

Podczas pracy w środku źródła bramki nie jest stosowane żadne napięcie, w przeciwieństwie do wzmocnionego MOSFET-a, a w środku źródła drenu znajduje się kanał przewodzący, więc do środka źródła drenu dodawane jest tylko napięcie dodatnie, co powoduje przepływ prądu drenu. Co więcej, źródło bramki w środku dodatniego kierunku napięcia, ekspansja kanału przewodzącego, dodaje przeciwny kierunek napięcia, kanał przewodzący kurczy się, przez przepływ energii elektrycznej będzie mniejszy, wraz z poprawą porównania MOSFET, może również występować w liczbie dodatniej i ujemnej określonej liczby obszarów w kanale przewodzącym.

Skuteczność MOSFET-u:

Po pierwsze, do powiększenia służą tranzystory MOSFET. Ponieważ rezystancja wejściowa wzmacniacza MOSFET jest bardzo duża, dlatego kondensator filtrujący może być mniejszy, bez konieczności stosowania kondensatorów elektrolitycznych.

Po drugie, bardzo wysoka rezystancja wejściowa MOSFET jest szczególnie odpowiednia do konwersji impedancji charakterystycznej. Powszechnie stosowany w stopniu wejściowym wzmacniacza wielopoziomowego do konwersji impedancji charakterystycznej.

MOSFET może być używany jako regulowany rezystor.

Po czwarte, MOSFET może być wygodnym źródłem zasilania prądem stałym.

V. MOSFET może być używany jako element przełączający.