Metoda produkcji obwodu sterującego MOSFET dużej mocy

Istnieją dwa główne rozwiązania:

Jednym z nich jest użycie dedykowanego układu sterownika do sterowania MOSFET-em lub zastosowanie szybkich transoptorów, tranzystory stanowią obwód do sterowania MOSFET-em, ale pierwszy rodzaj podejścia wymaga zapewnienia niezależnego źródła zasilania; pilną potrzebą jest inny typ transformatora impulsowego do napędzania MOSFET-u oraz w obwodzie napędu impulsowego, jak poprawić częstotliwość przełączania obwodu sterującego, aby w miarę możliwości zwiększyć zdolność napędową, aby zmniejszyć liczbę elementów rozwiązaćaktualne problemy.

Pierwszy typ schematu napędu, półmostkowy, wymaga dwóch niezależnych zasilaczy; pełny mostek wymaga trzech niezależnych zasilaczy, zarówno półmostkowych, jak i pełnomostkowych, zbyt wiele komponentów, co nie sprzyja redukcji kosztów.

Drugi rodzaj programu jazdy i patent jest najbliższy stanowi techniki dla wynalazku o nazwie „duża moc”.MOSFET Drive Circuit” (numer zgłoszenia 200720309534. 8), patent ten dodaje jedynie rezystancję rozładowania w celu zwolnienia źródła bramki ładunku MOSFET o dużej mocy, aby osiągnąć cel wyłączenia, opadająca krawędź sygnału PWM jest duża. zbocze opadające sygnału PWM jest duże, co doprowadzi do powolnego wyłączania MOSFET-u, utrata mocy jest bardzo duża;

Ponadto praca MOSFET w programie patentowym jest podatna na zakłócenia, a układ sterujący PWM musi mieć dużą moc wyjściową, co powoduje, że temperatura chipa jest wysoka, co wpływa na żywotność chipa. Treść wynalazku Celem tego wzoru użytkowego jest zapewnienie obwodu sterującego MOSFET dużej mocy, pracy bardziej stabilnej i zerowej, aby osiągnąć cel rozwiązania technicznego wynalazku będącego wzorem użytkowym - obwód napędowy MOSFET dużej mocy, sygnał wyjściowy układ sterujący PWM jest podłączony do pierwotnego transformatora impulsowego, tj pierwsze wyjście oJeżeli wtórny transformator impulsowy jest podłączony do pierwszej bramki MOSFET, drugie wyjście wtórnego transformatora impulsowego jest podłączone do pierwszej bramki MOSFET, drugie wyjście wtórnego transformatora impulsowego jest podłączone do pierwszej bramki MOSFET. Pierwsze wyjście wtórnego transformatora impulsowego jest podłączone do bramki pierwszego MOSFET-a, drugie wyjście wtórnego transformatora impulsowego jest podłączone do bramki drugiego MOSFET-a, znamienne tym, że podłączone jest również pierwsze wyjście wtórnego transformatora impulsowego do pierwszego tranzystora rozładowującego, a drugie wyjście wtórnego transformatora impulsowego jest również podłączone do drugiego tranzystora rozładowującego. Strona pierwotna transformatora impulsowego jest również podłączona do obwodu magazynowania i uwalniania energii.

Obwód wyzwalający magazynowanie energii składa się z rezystora, kondensatora i diody, przy czym rezystor i kondensator są połączone równolegle, a wspomniany obwód równoległy jest połączony szeregowo z diodą. Model użytkowy ma korzystny wpływ. Model użytkowy ma również pierwszy tranzystor rozładowujący podłączony do pierwszego wyjścia wtórnego transformatora i drugi tranzystor rozładowujący podłączony do drugiego wyjścia transformatora impulsowego, tak że gdy transformator impulsowy generuje na wyjściu niski poziom poziomu, pierwszy MOSFET i drugi MOSFET można szybko rozładować, aby poprawić prędkość wyłączania MOSFET i zmniejszyć straty MOSFET. Sygnał układu sterującego PWM jest podłączony do MOSFET wzmacniającego sygnał pomiędzy głównym wyjściem a impulsem transformator pierwotny, który można wykorzystać do wzmocnienia sygnału. Wyjście sygnału układu sterującego PWM i pierwotny transformator impulsowy są podłączone do tranzystora MOSFET w celu wzmocnienia sygnału, co może dodatkowo poprawić zdolność sterowania sygnałem PWM.

Pierwotny transformator impulsowy jest również podłączony do obwodu zwalniającego magazynowanie energii, gdy sygnał PWM jest na niskim poziomie, obwód uwalniający magazynowanie energii uwalnia energię zmagazynowaną w transformatorze impulsowym, gdy PWM jest na wysokim poziomie, zapewniając, że bramka źródło pierwszego i drugiego MOSFET-u jest wyjątkowo niskie, co odgrywa rolę w zapobieganiu zakłóceniom.

W konkretnym wykonaniu MOSFET Q1 małej mocy do wzmacniania sygnału jest podłączony pomiędzy zaciskiem wyjściowym sygnału A układu sterującego PWM a uzwojeniem pierwotnym transformatora impulsowego Tl, pierwszy zacisk wyjściowy uzwojenia wtórnego transformatora impulsowego jest podłączony do bramka pierwszego MOSFET Q4 poprzez diodę D1 i rezystor sterujący Rl, drugi zacisk wyjściowy strony wtórnej transformatora impulsowego jest połączony z bramką drugiego MOSFET Q5 poprzez diodę D2 i rezystor sterujący R2, a pierwszy zacisk wyjściowy strony wtórnej transformatora impulsowego jest również podłączony do pierwszej triody drenu Q2, a druga trioda drenu Q3 jest również podłączona do drugiej triody drenu Q3. MOSFET Q5, pierwszy zacisk wyjściowy wtórnego transformatora impulsowego jest również podłączony do pierwszego drenu tranzystora Q2, a drugi zacisk wyjściowy wtórnego transformatora impulsowego jest również podłączony do drugiego drenu tranzystora Q3.

Bramka pierwszego MOSFET-u Q4 jest podłączona do rezystora drenu R3, a bramka drugiego MOSFET-u Q5 jest podłączona do rezystora drenu R4. uzwojenie pierwotne transformatora impulsowego Tl jest również podłączone do obwodu magazynowania i uwalniania energii, a obwód magazynowania i uwalniania energii zawiera rezystor R5, kondensator Cl i diodę D3, a rezystor R5 i kondensator Cl są połączone w równolegle, a wspomniany obwód równoległy łączy się szeregowo z diodą D3. sygnał wyjściowy PWM z układu sterującego PWM jest podłączony do MOSFET Q2 małej mocy, a MOSFET Q2 małej mocy jest podłączony do uzwojenia wtórnego transformatora impulsowego. jest wzmacniany przez MOSFET Ql małej mocy i wysyłany na uzwojenie pierwotne transformatora impulsowego Tl. Gdy sygnał PWM jest wysoki, pierwszy zacisk wyjściowy i drugi zacisk wyjściowy strony wtórnej transformatora impulsowego Tl wysyłają sygnały o wysokim poziomie, aby sterować pierwszym MOSFET-em Q4 i drugim MOSFET-em Q5.

Gdy sygnał PWM jest niski, pierwsze wyjście i drugie wyjście transformatora impulsowego Tl wytwarzają wtórne sygnały o niskim poziomie, pierwszy tranzystor drenu Q2 i drugi tranzystor drenu Q3, pierwsza pojemność źródła bramki MOSFETQ4 przez rezystor drenu R3, pierwszy tranzystor drenujący Q2 do rozładowywania, pojemność drugiego źródła bramki MOSFETQ5 przez rezystor drenu R4, drugi tranzystor drenujący Q3 do rozładowania, pojemność drugiego źródła bramki MOSFETQ5 przez rezystor rezystor drenu R4, drugi tranzystor drenu Q3 do rozładowywania, pojemność źródła drugiej bramki MOSFETQ5 przez rezystor drenu R4, drugi tranzystor drenu Q3 do rozładowania. Pojemność źródła drugiej bramki MOSFETQ5 jest rozładowywana przez rezystor drenu R4 i drugi tranzystor drenu Q3, dzięki czemu pierwszy MOSFET Q4 i drugi MOSFET Q5 można wyłączyć szybciej i zmniejszyć straty mocy.

Gdy sygnał PWM jest niski, obwód uwalniania zmagazynowanej energii składający się z rezystora R5, kondensatora Cl i diody D3 uwalnia zmagazynowaną energię w transformatorze impulsowym, gdy PWM jest wysokie, zapewniając, że źródło bramki pierwszego MOSFET Q4 i drugiego MOSFET Q5 jest wyjątkowo niski, co służy celom przeciwzakłóceniowym. Dioda Dl i dioda D2 przewodzą prąd wyjściowy jednokierunkowo, zapewniając w ten sposób jakość przebiegu PWM, a jednocześnie w pewnym stopniu pełnią także rolę przeciwzakłóceniową.