Jaka jest zasada działania MOSFET-u?

Tytuł MOSFET (skrót od tranzystora polowego (FET)).MOSFET. przez niewielką liczbę nośników do udziału w przewodnictwie cieplnym, znany również jako wielobiegunowy tranzystor złączowy. Jest klasyfikowany jako urządzenie półnadprzewodnikowe sterowane napięciem. Istniejąca rezystancja wyjściowa jest wysoka (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9 Ω), niski poziom szumów, niskie zużycie energii, zasięg statyczny, łatwa integracja, brak zjawiska drugiej awarii, zadanie ubezpieczeniowe szerokiego morza i inne zalety, teraz zmieniły bipolarny tranzystor złączowy i tranzystor złączowy mocy silnych współpracowników.

Charakterystyka MOSFET-u

Po pierwsze: MOSFET jest urządzeniem regulującym napięcie, przechodzącym przez VGS (napięcie źródła bramki) do identyfikatora głównego (dren prądu stałego);

Drugi:MOSFET-ywyjściowy prąd stały jest bardzo mały, więc jego rezystancja wyjściowa jest bardzo duża.

Po trzecie: do przewodzenia ciepła stosuje się kilka nośników, dzięki czemu ma lepszą miarę stabilności;

Cztery: składa się ze zredukowanej ścieżki elektrycznej redukcji małych współczynników, która jest mniejsza niż tranzystor składa się ze zredukowanej ścieżki elektrycznej redukcji małych współczynników;

Po piąte: moc przeciwnapromieniowania MOSFET;

Sześć: ponieważ nie ma wadliwego działania rozproszenia mniejszościowego spowodowanego rozproszonymi cząstkami hałasu, ponieważ hałas jest niski.

Zasada zadania MOSFET

MOSFETzasada zadania w jednym zdaniu, to znaczy „dren – źródło przechodzi przez kanał pomiędzy ID, z elektrodą i kanałem pomiędzy pn skonstruowanymi na napięcie elektrody polaryzacji odwrotnej w celu opanowania ID”. Dokładniej, amplituda ID w obwodzie, to znaczy pole przekroju poprzecznego kanału, jest to zmiana przeciwnastawiona na złączu pn, występowanie warstwy zubożonej w celu rozszerzenia zmienności opanowania przyczyny. W morzu nienasyconym o VGS=0 ekspansja wskazanej warstwy przejściowej nie jest zbyt duża, ponieważ zgodnie z polem magnetycznym VDS dodanym pomiędzy dren-źródło, część elektronów w morzu źródłowym jest odciągana przez dren , tj. istnieje aktywność DC ID od odpływu do źródła. Umiarkowana warstwa rozciągająca się od bramy do odpływu utworzy rodzaj blokady całego korpusu kanału, ID full. Nazywaj ten wzór „szczypnięciem”. Symbolizuje to, że warstwa przejściowa blokuje cały kanał i nie oznacza odcięcia prądu stałego.

W warstwie przejściowej, ponieważ nie ma samoczynnego ruchu elektronów i dziur, w rzeczywistej postaci właściwości izolacyjnych istnienia ogólnego prądu stałego jest trudno przemieszczać się. Jednak pole magnetyczne pomiędzy drenem a źródłem, w praktyce dwie warstwy przejściowe stykają się z drenem i biegunem bramki po lewej stronie, ponieważ dryfujące pole magnetyczne przyciąga elektrony o dużej prędkości przez warstwę przejściową. Ponieważ siła dryfującego pola magnetycznego po prostu nie zmienia pełni sceny ID. Po drugie, VGS zmienia pozycję na ujemną, tak że VGS = VGS (wyłączony), wówczas warstwa przejściowa w dużym stopniu zmienia kształt pokrywając całe morze. A pole magnetyczne VDS jest w dużej mierze dodawane do warstwy przejściowej, pola magnetycznego, które przyciąga elektron do pozycji dryfu, o ile jest blisko bieguna źródłowego bardzo krótkiego wszystkiego, co jest bardziej takie, że moc prądu stałego nie jest potrafi utknąć w stagnacji.