MOSFETysą powszechnie stosowane. Obecnie stosowane są wielkogabarytowe układy scalone MOSFET, podstawowa funkcja i tranzystor BJT, służą do przełączania i wzmacniania. Zasadniczo triodę BJT można zastosować tam, gdzie jest to możliwe, a w niektórych miejscach wydajność jest lepsza niż triody.
Wzmocnienie MOSFET-u
Trioda MOSFET i BJT, chociaż oba są urządzeniami wzmacniającymi półprzewodniki, ale mają więcej zalet niż trioda, takich jak wysoka rezystancja wejściowa, źródło sygnału prawie nie ma prądu, co sprzyja stabilności sygnału wejściowego. Jest to idealne urządzenie jako wzmacniacz stopnia wejściowego, a także ma zalety w postaci niskiego poziomu szumów i dobrej stabilności temperaturowej. Jest często używany jako przedwzmacniacz w obwodach wzmacniających audio. Jednakże, ponieważ jest to urządzenie prądowe sterowane napięciem, prąd drenu jest kontrolowany przez napięcie między źródłem bramki, współczynnik wzmocnienia transkonduktancji o niskiej częstotliwości jest na ogół niewielki, więc zdolność wzmocnienia jest słaba.
Efekt przełączania MOSFET-u
MOSFET używany jako przełącznik elektroniczny, ponieważ opiera się wyłącznie na przewodności polionowej, nie ma takiej triody jak BJT ze względu na prąd bazowy i efekt magazynowania ładunku, więc prędkość przełączania MOSFET-u jest większa niż triody, jako lampa przełączająca jest często używany w sytuacjach związanych z wysokim prądem o wysokiej częstotliwości, takich jak zasilacze impulsowe używane w MOSFET-ie w stanie pracy o wysokim prądzie o wysokiej częstotliwości. W porównaniu z przełącznikami triodowymi BJT, przełączniki MOSFET mogą pracować przy niższych napięciach i prądach oraz są łatwiejsze do zintegrowania na płytkach krzemowych, dlatego są szeroko stosowane w wielkogabarytowych układach scalonych.
Jakie są środki ostrożności podczas stosowaniaMOSFETy?
Tranzystory MOSFET są delikatniejsze niż triody i można je łatwo uszkodzić w wyniku niewłaściwego użytkowania, dlatego należy zachować szczególną ostrożność podczas ich używania.
(1) Konieczne jest wybranie odpowiedniego typu MOSFET-u do różnych zastosowań.
(2) Tranzystory MOSFET, szczególnie MOSFETy z izolowaną bramką, mają wysoką impedancję wejściową i powinny być zwarte do każdej elektrody, gdy nie są używane, aby uniknąć uszkodzenia lampy na skutek ładunku indukcyjnego bramki.
(3) Napięcie źródła bramki złączowych tranzystorów MOSFET nie może zostać odwrócone, ale może zostać zapisane w stanie obwodu otwartego.
(4) Aby utrzymać wysoką impedancję wejściową MOSFET-a, lampę należy chronić przed wilgocią i utrzymywać w suchości w środowisku użytkowania.
(5) Naładowane przedmioty (takie jak lutownica, przyrządy testowe itp.) mające kontakt z MOSFET-em muszą być uziemione, aby uniknąć uszkodzenia lampy. Zwłaszcza przy spawaniu izolowanej bramki MOSFET, zgodnie ze źródłem - kolejność spawania bramki, najlepiej spawać po wyłączeniu zasilania. Moc lutownicy do 15 ~ 30W jest odpowiednia, czas spawania nie powinien przekraczać 10 sekund.
(6) MOSFET z izolowaną bramką nie może być testowany multimetrem, można go testować jedynie testerem i dopiero po uzyskaniu dostępu do testera w celu usunięcia przewodów zwarciowych elektrod. Po usunięciu konieczne jest zwarcie elektrod przed demontażem, aby uniknąć wystawania bramki.
(7) Podczas używaniaMOSFETyw przypadku przewodów podłoża przewody podłoża powinny być prawidłowo podłączone.
Czas publikacji: 23 kwietnia 2024 r
