MOSFET falownika pracuje w stanie przełączania, a prąd przepływający przez MOSFET jest bardzo duży. Jeśli MOSFET nie zostanie odpowiednio wybrany, amplituda napięcia sterującego nie jest wystarczająco duża lub rozpraszanie ciepła w obwodzie nie jest dobre, może to spowodować nagrzanie MOSFET-u.
1, ogrzewanie MOSFET falownika jest poważne, należy zwrócić uwagę naMOSFETwybór
MOSFET w falowniku w stanie przełączania generalnie wymaga tak dużego prądu drenu, jak to możliwe, rezystancji włączenia tak małej, jak to możliwe, aby można było zmniejszyć spadek napięcia nasycenia MOSFET-u, zmniejszając w ten sposób MOSFET, ponieważ zużycie, zmniejsza ciepło.
Sprawdź instrukcję MOSFET-u, przekonamy się, że im wyższa wartość napięcia wytrzymywanego MOSFET-u, tym większa jego rezystancja włączenia, a w przypadku wysokiego prądu drenu, niskiej wartości napięcia wytrzymywanego MOSFET-u, jego rezystancja włączenia jest na ogół poniżej kilkudziesięciu miliomy.
Zakładając, że prąd obciążenia wynosi 5 A, wybieramy powszechnie używany falownik MOSFETRU75N08R i wartość napięcia wytrzymywanego 500 V może wynosić 840, ich prąd drenażowy wynosi 5 A lub więcej, ale rezystancja włączenia dwóch tranzystorów MOSFET jest inna, napędzają ten sam prąd , ich różnica ciepła jest bardzo duża. Rezystancja włączenia 75N08R wynosi tylko 0,008 Ω, podczas gdy rezystancja włączenia 840. Rezystancja włączenia 75N08R wynosi tylko 0,008 Ω, podczas gdy rezystancja włączenia 840 wynosi 0,85 Ω. Gdy prąd obciążenia przepływający przez MOSFET wynosi 5 A, spadek napięcia na MOSFET-ie 75N08R wynosi tylko 0,04 V, a zużycie MOSFET-u przez MOSFET wynosi tylko 0,2 W, podczas gdy spadek napięcia MOSFET-a 840 może wynosić do 4,25 W, a zużycie MOSFET-u wynosi aż 21,25 W. Z tego widać, że rezystancja włączenia MOSFET-u różni się od rezystancji włączenia 75N08R, a wytwarzanie ciepła przez nie jest bardzo różne. Im mniejsza rezystancja włączenia MOSFET-u, tym lepsza rezystancja włączenia MOSFET-u, lampa MOSFET przy dużym poborze prądu jest dość duża.
2, obwód napędowy amplitudy napięcia sterującego nie jest wystarczająco duży
MOSFET to urządzenie sterujące napięciem. Jeśli chcesz zmniejszyć zużycie lampy MOSFET, zmniejszyć wydzielanie ciepła, amplituda napięcia sterującego bramką MOSFET powinna być wystarczająco duża, zbocze impulsu sterującego jest strome, może zmniejszyćMOSFETspadek napięcia lampy, zmniejsz zużycie lampy MOSFET.
3, rozpraszanie ciepła MOSFET nie jest dobrym powodem
Nagrzewanie MOSFET-u inwertera jest poważne. Ponieważ zużycie lamp MOSFET falownika jest duże, praca zazwyczaj wymaga wystarczająco dużej powierzchni zewnętrznej radiatora, a zewnętrzny radiator i sam MOSFET pomiędzy radiatorem powinny znajdować się w bliskim kontakcie (zwykle wymaga się pokrycia warstwą przewodzącą ciepło smar silikonowy), jeśli zewnętrzny radiator jest mniejszy lub sam MOSFET nie znajduje się wystarczająco blisko styku z radiatorem, może to prowadzić do nagrzewania się MOSFET-u.
Inwerter MOSFET nagrzewa się poważnie, podsumowując cztery powody.
Lekkie nagrzewanie MOSFET-u jest zjawiskiem normalnym, ale nagrzewanie jest poważne i może nawet prowadzić do spalenia MOSFET-u. Istnieją cztery następujące przyczyny:
1, problem projektowania obwodów
Pozwól MOSFET-owi pracować w liniowym stanie roboczym, a nie w stanie obwodu przełączającego. Jest to również jedna z przyczyn nagrzewania się tranzystorów MOSFET. Jeśli przełączanie wykonuje N-MOS, napięcie na poziomie G musi być o kilka V wyższe niż zasilanie, aby było w pełni włączone, podczas gdy P-MOS jest odwrotnie. Niecałkowicie otwarty i spadek napięcia jest zbyt duży, co powoduje zużycie energii, równoważna impedancja prądu stałego jest większa, spadek napięcia wzrasta, więc U * I również wzrasta, strata oznacza ciepło. Jest to błąd, którego najczęściej unika się przy projektowaniu obwodu.
2, zbyt wysoka częstotliwość
Głównym powodem jest to, że czasami nadmierna pogoń za głośnością, skutkująca zwiększoną częstotliwością,MOSFETstraty są duże, więc ciepło również wzrasta.
3, za mało konstrukcji termicznej
Jeśli prąd jest zbyt wysoki, do osiągnięcia nominalnej wartości prądu MOSFET-u zwykle wymagane jest dobre odprowadzanie ciepła. Zatem identyfikator jest mniejszy niż maksymalny prąd, może również mocno się nagrzać, wymagać wystarczającego dodatkowego radiatora.
4, wybór MOSFET-u jest nieprawidłowy
Błędna ocena mocy, rezystancja wewnętrzna MOSFET nie jest w pełni brana pod uwagę, co skutkuje zwiększoną impedancją przełączania.
Czas publikacji: 19 kwietnia 2024 r
