MOSFETyodgrywać rolęw obwodach przełączającychpolega na sterowaniu włączaniem i wyłączaniem obwodu oraz konwersją sygnału.MOSFETy można ogólnie podzielić na dwie kategorie: kanał N i kanał P.
W kanale NMOSFETokrążenie, pin BEEP jest w stanie wysokim, aby włączyć reakcję brzęczyka, i niskim, aby wyłączyć brzęczyk. Kanał PMOSFETdo sterowania włączaniem i wyłączaniem zasilania modułu GPS, pin GPS_PWR jest niski, gdy jest włączony, moduł GPS jest normalne zasilaniei wysoki, aby wyłączyć moduł GPS.
Kanał PMOSFETw podłożu krzemowym typu N w obszarze P+ znajdują się dwa: dren i źródło. Te dwa bieguny nie przewodzą siebie nawzajem, gdy do źródła po uziemieniu zostanie dodane wystarczające napięcie dodatnie, powierzchnia krzemu typu N pod bramką wyłoni się jako odwrotna warstwa typu P, do kanału łączącego dren i źródło . Zmiana napięcia na bramce powoduje zmianę gęstości otworów w kanale, a tym samym zmianę rezystancji kanału. Nazywa się to tranzystorem polowym wzmacniającym kanał P.
Charakterystyka NMOS, Vgs, o ile będzie włączona większa niż określona wartość, mająca zastosowanie do obudowy napędu low-end z uziemieniem źródła, pod warunkiem, że napięcie bramki na linii wynosi 4 V lub 10 V.
Charakterystyka PMOS, w przeciwieństwie do NMOS, będzie się włączać tak długo, jak Vgs będzie mniejsze od określonej wartości i nadaje się do stosowania w przypadku napędu z wyższej półki, gdy źródło jest podłączone do VCC. Jednak ze względu na małą liczbę zamienników, wysoką rezystancję włączenia i wysoką cenę, mimo że PMOS można bardzo wygodnie stosować w przypadku dysków z wyższej półki, to w przypadku dysków z wyższej półki generalnie nadal stosuje się NMOS.
Ogólnie,MOSFETymają wysoką impedancję wejściową, ułatwiają bezpośrednie łączenie w obwodach i są stosunkowo łatwe do wyprodukowania w wielkoskalowych układach scalonych.
Czas publikacji: 20 lipca 2024 r
