Projektanci obwodów musieli wziąć pod uwagę następujące pytanie przy wyborze tranzystorów MOSFET: Czy wybrać MOSFET z kanałem P, czy MOSFET z kanałem N? Jako producent musisz chcieć, aby Twoje produkty konkurowały z innymi sprzedawcami po niższych cenach, a także musisz dokonywać wielokrotnych porównań. Jak więc wybrać? OLUKEY, producent MOSFET-ów z 20-letnim doświadczeniem, chciałby się z Tobą podzielić.
Różnica 1: charakterystyka przewodzenia
Charakterystyka N-kanałowego MOS polega na tym, że włącza się, gdy Vgs jest większe niż określona wartość. Nadaje się do stosowania, gdy źródło jest uziemione (napęd low-end), o ile napięcie bramki osiąga 4 V lub 10 V. Jeśli chodzi o charakterystykę MOS z kanałem P, włączy się on, gdy Vgs będzie mniejsze niż pewna wartość, co jest odpowiednie w sytuacjach, gdy źródło jest podłączone do VCC (napęd wysokiej klasy).
Różnica 2:MOSFETstrata przełączania
Niezależnie od tego, czy jest to MOS z kanałem N, czy MOS z kanałem P, po włączeniu występuje rezystancja włączenia, więc prąd będzie zużywał energię na tym oporze. Ta część zużytej energii nazywana jest stratą przewodzenia. Wybór tranzystora MOSFET o małej rezystancji włączenia zmniejszy straty przewodzenia, a rezystancja włączenia obecnych tranzystorów MOSFET małej mocy wynosi zwykle około dziesiątek miliomów, ale jest też kilka miliomów. Ponadto, gdy MOS jest włączany i wyłączany, nie można go natychmiast zakończyć. Następuje proces malejący, a przepływający prąd ma również proces rosnący.
W tym okresie strata MOSFET-u jest iloczynem napięcia i prądu, zwanym stratą przełączania. Zwykle straty przełączania są znacznie większe niż straty przewodzenia, a im wyższa częstotliwość przełączania, tym większe straty. Iloczyn napięcia i prądu w momencie przewodzenia jest bardzo duży, a spowodowane przez niego straty są również bardzo duże, więc skrócenie czasu przełączania zmniejsza straty podczas każdego przewodzenia; zmniejszenie częstotliwości przełączania może zmniejszyć liczbę przełączeń w jednostce czasu.
Różnica trzecia: użycie MOSFET-u
Ruchliwość otworów w MOSFET-ie z kanałem P jest niska, więc gdy rozmiar geometryczny MOSFET-a i wartość bezwzględna napięcia roboczego są równe, transkonduktancja MOSFET-u z kanałem P jest mniejsza niż w przypadku MOSFET-a z kanałem N. Ponadto wartość bezwzględna napięcia progowego tranzystora MOSFET z kanałem P jest stosunkowo wysoka, co wymaga wyższego napięcia roboczego. MOS z kanałem P ma dużą huśtawkę logiczną, długi proces ładowania i rozładowywania oraz małą transkonduktancję urządzenia, więc jego prędkość robocza jest niższa. Po pojawieniu się N-kanałowych MOSFET-ów większość z nich została zastąpiona N-kanałowymi MOSFET-ami. Jednakże, ponieważ MOSFET z kanałem P ma prosty proces i jest tani, niektóre cyfrowe obwody sterujące średniej i małej skali nadal wykorzystują technologię obwodów PMOS.
OK, to wszystko w dzisiejszym poście od firmy OLUKEY, producenta opakowań MOSFET. Więcej informacji można znaleźć na stronieOLUKEYoficjalna strona internetowa. Firma OLUKEY od 20 lat koncentruje się na MOSFET-ach i ma siedzibę w Shenzhen w prowincji Guangdong w Chinach. Zajmuje się głównie wysokoprądowymi tranzystorami polowymi, tranzystorami MOSFET dużej mocy, tranzystorami MOSFET o dużych obudowach, tranzystorami MOSFET o małym napięciu, tranzystorami MOSFET o małym napięciu, tranzystorami MOSFET o małym prądzie, lampami polowymi MOS, opakowanymi tranzystorami MOSFET, mocowymi MOS, pakietami MOSFET, oryginalnymi tranzystorami MOSFET, opakowanymi tranzystorami MOSFET itp. Głównym produktem agenta jest WINSOK.
Czas publikacji: 17 grudnia 2023 r
