Tranzystory MOSFET (tranzystor polowy typu metal-tlenek-półprzewodnik) są często uważane za urządzenia w pełni kontrolowane. Dzieje się tak dlatego, że stan pracy (włączony lub wyłączony) tranzystora MOSFET jest całkowicie kontrolowany przez napięcie bramki (Vgs) i nie zależy od prądu bazy, jak w przypadku tranzystora bipolarnego (BJT).
W tranzystorze MOSFET napięcie bramki Vgs określa, czy między źródłem a drenem utworzony jest kanał przewodzący, a także szerokość i przewodność kanału przewodzącego. Kiedy Vgs przekracza napięcie progowe Vt, tworzy się kanał przewodzący i MOSFET przechodzi w stan włączenia; gdy Vgs spadnie poniżej Vt, kanał przewodzący znika, a MOSFET znajduje się w stanie odcięcia. Sterowanie to jest w pełni kontrolowane, ponieważ napięcie bramki może niezależnie i precyzyjnie kontrolować stan pracy tranzystora MOSFET, bez polegania na innych parametrach prądu lub napięcia.
Natomiast na stan pracy urządzeń częściowo sterowanych (np. tyrystorów) wpływa nie tylko napięcie lub prąd sterujący, ale także inne czynniki (np. napięcie, prąd anodowy itp.). W rezultacie w pełni kontrolowane urządzenia (np. MOSFETy) zwykle oferują lepszą wydajność pod względem dokładności sterowania i elastyczności.
Podsumowując, tranzystory MOSFET są w pełni kontrolowanymi urządzeniami, których stan pracy jest całkowicie kontrolowany przez napięcie bramki i mają zalety w postaci wysokiej precyzji, dużej elastyczności i niskiego zużycia energii.
Czas publikacji: 20 września 2024 r
