Dziś na powszechnie używanych urządzeniach dużej mocyMOSFETkrótko przedstawić zasadę jego działania. Zobacz jak realizuje swoją pracę.
Metal-Oxide-Semiconductor, czyli Metal-Oxide-Semiconductor, dokładnie ta nazwa opisuje budowę MOSFET-u w układzie scalonym, czyli: w pewnej strukturze urządzenia półprzewodnikowego, sprzężonego z dwutlenkiem krzemu i metalem, powstaje bramy.
Źródło i dren MOSFET-u są przeciwstawne, przy czym obie są strefami typu N utworzonymi w tylnej klapie typu P. W większości przypadków te dwa obszary są takie same, nawet jeśli dwa końce regulacji nie będą miały wpływu na działanie urządzenia, takie urządzenie uważa się za symetryczne.
Klasyfikacja: według rodzaju materiału kanału i typu izolowanej bramki każdego kanału N i drugiego kanału P; zgodnie z trybem przewodzenia: MOSFET dzieli się na wyczerpanie i wzmocnienie, więc MOSFET dzieli się na wyczerpanie i wzmocnienie kanału N; Wyczerpanie i wzmocnienie kanału P w czterech głównych kategoriach.
Zasada działania MOSFET-charakterystyka strukturalnaMOSFETprzewodzi tylko nośniki jednej polaryzacji (polimery) biorące udział w przewodzeniu, jest tranzystorem jednobiegunowym. Mechanizm przewodzący jest taki sam jak w przypadku MOSFET-u małej mocy, ale struktura ma dużą różnicę. MOSFET małej mocy jest urządzeniem przewodzącym poziomo, większość pionowej struktury przewodzącej MOSFET mocy, znanej również jako VMOSFET, co znacznie poprawia MOSFET wytrzymałość urządzenia na napięcie i prąd. Główną cechą jest to, że pomiędzy metalową bramą a kanałem znajduje się warstwa izolacji krzemionkowej, w związku z czym ma wysoką rezystancję wejściową. Rura przewodzi w dwóch wysokich stężeniach strefy dyfuzyjnej n, tworząc kanał przewodzący typu n. N-kanałowe tranzystory MOSFET ze wzmocnieniem muszą być przyłożone do bramki z polaryzacją w kierunku przewodzenia i tylko wtedy, gdy napięcie źródła bramki jest większe niż napięcie progowe kanału przewodzącego generowanego przez n-kanałowy MOSFET. Tranzystory MOSFET typu n-kanałowego to n-kanałowe tranzystory MOSFET, w których generowane są kanały przewodzące, gdy nie jest przyłożone napięcie bramki (napięcie źródła bramki wynosi zero).
Zasada działania tranzystora MOSFET polega na kontrolowaniu ilości „indukowanego ładunku” poprzez wykorzystanie VGS do zmiany stanu kanału przewodzącego utworzonego przez „indukowany ładunek”, a następnie osiągnięcie celu polegającego na kontrolowaniu prądu drenu. W produkcji rur, w procesie warstwy izolacyjnej pojawia się duża liczba jonów dodatnich, dzięki czemu po drugiej stronie granicy faz można indukować więcej ładunków ujemnych, te ładunki ujemne powodują wysoką penetrację zanieczyszczeń w N obszar związany z utworzeniem kanału przewodzącego, nawet przy VGS = 0 występuje również duży identyfikator prądu upływowego. gdy zmienia się napięcie bramki, zmienia się również ilość ładunku indukowanego w kanale, zmienia się szerokość i wąskość kanału przewodzącego, a tym samym zmienia się prąd upływowy ID z napięciem bramki. Identyfikator prądu zmienia się w zależności od napięcia bramki.
Teraz zastosowanieMOSFETznacznie poprawiło zdolność uczenia się ludzi i wydajność pracy, poprawiając jednocześnie jakość naszego życia. Mamy bardziej zracjonalizowane zrozumienie tego poprzez proste zrozumienie. Nie tylko posłuży nam jako narzędzie, większe zrozumienie jego cech, zasady pracy, co również sprawi nam mnóstwo frajdy.
Czas publikacji: 18 kwietnia 2024 r
