Przepływ detekcji MOSFET Tranzystory MOSFET, jako jedno z najbardziej podstawowych urządzeń w dziedzinie półprzewodników, są szeroko stosowane w różnych projektach produktów i obwodach na poziomie płytki. Szczególnie w dziedzinie półprzewodników dużej mocy niezastąpioną rolę odgrywają tranzystory MOSFET o różnych strukturach. Oczywiście wysoki stopień wykorzystaniaMOSFETy doprowadziło do kilku drobnych problemów. Jeden z problemów z wyciekiem MOSFET-u, różne miejsca mają różne rozwiązania, dlatego przygotowaliśmy dla Ciebie kilka skutecznych metod rozwiązywania problemów.
Voor de Detectie van MOSFET onderscheiden vier belangrijke aspekten:MOSFET lekkige, kortsluitfouten, ontkoppeling, versterking. Als er een weersstandswaarde, maar niet gedetecteerd, MOSFET lightge voorwaarden, die het belangrijkste onderzoek kunnen we verwijzen naar het volgende proces uit te voeren:
1, de link gate en de bron van de weerstand verwijderd, de multimetr rode en zwarte pennen zal niet veranderen, als je beweegt de lekkige weerstand na de miernik bar geleidelijk terug naar een hoge weerstand of oneindig, dan is deMOSFET lekki; zal niet veranderen jest problemem;
2, zal een transmissielijn naar de MOSFET gate en bron polen met elkaar verbonden, al de digitale multimeter naald onmiddellijk terug naar oneindig, dan is de MOSFET is geen problem;
3, z piórem naar de bron van de MOSFET S, zwarte pióro naar de afvoer van de MOSFET, een Goede miernik stick markering moet geen grote armen;
4, z weerstand van 100KΩ-200KΩ verbonden met de gate en drenażu, en vervolgens de rode pen aan de bron van de MOSFET S, de zwarte pen aan de dren van de MOSFET, op dit moment de waarde van demeter markering is over het algemeen zal 0 zijn, op het moment is onder de positieve elektriciteit op base van deze weerstand aan de MOSFET gatebateij opladen, wat wynikeert in de gate elektrisch veld, als gevolg van elektrisch veld Resulterend in geleidingsvermogen sectie veroorzaakt drzwi de drenażu w bron basenie pass, zodat de digitale multimetr multimetr basen bias, bias motyka groter de gezichtshoek, motyka hoger het laden en ontladen kenmerken.
Czas publikacji: 25 maja 2024 r
