MOSFET (tranzystor polowy metalowo-tlenkowo-półprzewodnikowy) ma trzy bieguny, którymi są:
Brama:G, bramka MOSFET-u jest odpowiednikiem podstawy tranzystora bipolarnego i służy do kontrolowania przewodzenia i odcięcia MOSFET-u. W tranzystorach MOSFET napięcie bramki (Vgs) określa, czy między źródłem a drenem tworzy się kanał przewodzący, a także szerokość i przewodność kanału przewodzącego. Bramka jest wykonana z materiałów takich jak metal, polikrzem itp. i jest otoczona warstwą izolacyjną (zwykle dwutlenkiem krzemu), aby zapobiec przepływowi prądu bezpośrednio do lub z bramki.
Źródło:S, źródło MOSFET-u jest odpowiednikiem emitera tranzystora bipolarnego i to tam płynie prąd. W tranzystorach MOSFET z kanałem N źródło jest zwykle podłączone do ujemnego zacisku (lub masy) zasilacza, podczas gdy w tranzystorach MOSFET z kanałem P źródło jest podłączone do dodatniego zacisku zasilacza. Źródło jest jedną z kluczowych części tworzących kanał przewodzący, który wysyła elektrony (kanał N) lub dziury (kanał P) do drenu, gdy napięcie bramki jest wystarczająco wysokie.
Odpływ:D, dren MOSFET-a jest odpowiednikiem kolektora tranzystora bipolarnego i to tam wpływa prąd. Drenaż jest zwykle podłączony do obciążenia i działa jako wyjście prądowe w obwodzie. W tranzystorze MOSFET dren jest drugim końcem kanału przewodzącego i gdy napięcie bramki steruje tworzeniem się kanału przewodzącego pomiędzy źródłem a drenem, prąd może przepływać ze źródła przez kanał przewodzący do drenu.
Krótko mówiąc, bramka tranzystora MOSFET służy do sterowania włączaniem i wyłączaniem, źródło jest miejscem, w którym wypływa prąd, a drenem, miejscem jego napływu. Te trzy bieguny łącznie określają stan pracy i wydajność tranzystora MOSFET. .
Czas publikacji: 26 września 2024 r
