MocMOSFET is een relatief veel voorkomende klasse van voedingsapparaten, "MOSFET" to angielski "metalowo-tlenkowy półprzewodnikowy tranzystor polowy". Het wordt gebruikt voor vermogen eindtrap apparaat, de sleutel drzwi het metaal materiaal, SiO2 of SiN en halfgeleidermaterialen gemaakt van drie grondstoffen. Om het duidelijk te zeggen, macht MOSFET betekent dat het een grote werkende stroom kan Output, en zijn ingedeeld in vele manieren, waarin in de functie van verliesniveau kan worden onderverdeeld in verbeterde type en licht depletie type, volgens het kanaal kan worden onderverdeeld in Typ N-kanaal i typ P-kanaal.
Słowo Power MOSFET over het algemeen gebruikt voor schakelende voedingscircuits. Over het algemeen kiezenProdukcja MOSFET de parametr RDS(ON) om de aan-uitkarakteristieke impedantie te definiëren; RDS(ON) jest przeznaczony do kritieke apparaatkarakteristiek dla ORing FET-toepassingen. Przewodnik informacyjny dotyczący danych definiuje RDS(ON) w odniesieniu do bedrijfsobejmującego van de Gate, VGS, en destroom die the vermogensschakelaar vloeit, maar RDS(ON) jest względnym parametrem stanu dla Voldoende Gate Drive.
Als een MOSFET-fabrikant een schakelende voeding wil ontwikkelen met minimale ontwerpspecificaties en kosten, is een lage uitschakelkarakteristieke impedantie een must. Bij het ontwerp van een voeding moet elke schakelende voeding vaak meerdere ORingMOSFET-y równoległy laten werken en moeten meerdere apparaten worden gebruikt om de stroom naar de belast te leiden. In Veel gevallen moeten ontwerpers de MOSFET w serii schakelen zodat de RDS(ON) redelijk kan worden gereduceerd.
Naast RDS(ON), w jednym procesie wyboru MOSFET, możesz zobaczyć parametry MOSFET, które możesz zobaczyć, aby uzyskać dostęp do voeding ontwerpers. W Veel gevallen moeten ontwerpers przeszliśmy do letten op de SOA-grafiek w de Data Information Guide, die de correlatie tussen drenstroom en dren-bron bedrijfsspanning beschrijft. Voor het grootste deel definieert SOA de voedingsspanning en stroom waarbij de MOSFET veilig kan werken.
Dla powyższych typów warunków obciążenia, po oszacowaniu (lub zmierzeniu) większego napięcia roboczego, a następnie pozostawieniu marginesu od 20% do 30%, można określić niezbędną wartość prądu znamionowego VDS tranzystora MOSFET. Trzeba tu powiedzieć, że w celu uzyskania lepszych kosztów i płynniejszej charakterystyki, można wybrać diody i cewki prądowe szeregu prądu przemiennego w celu zamknięcia składu pętli sterowania prądem, uwolnić energię kinetyczną prądu indukcyjnego, aby utrzymać MOSFET. prąd znamionowy jest wyraźny, prąd można wywnioskować. Ale tutaj należy wziąć pod uwagę dwa parametry: jeden to wartość prądu w pracy ciągłej i najwyższa wartość pojedynczego impulsu prądu szczytowego (Spike i Surge), te dwa parametry decydują, ile należy wybrać wartość znamionową aktualna wartość.
Czas publikacji: 28 maja 2024 r
