Główne parametry tranzystorów MOSFET i porównanie z triodami

Tranzystor polowy, w skrócieMOSFETIstnieją dwa główne typy: złączowe lampy polowe i półprzewodnikowe lampy polowe z tlenkiem metalu. MOSFET jest również znany jako tranzystor unipolarny, w którym większość nośników bierze udział w przewodnictwie. Są to urządzenia półprzewodnikowe sterowane napięciem. Ze względu na wysoką rezystancję wejściową, niski poziom szumów, niski pobór mocy i inne cechy, co czyni go silnym konkurentem dla tranzystorów bipolarnych i tranzystorów mocy.

I. Główne parametry MOSFET-u

1, parametry prądu stałego

Prąd nasycenia drenu można zdefiniować jako prąd drenu odpowiadający sytuacji, gdy napięcie między bramką a źródłem jest równe zeru, a napięcie między drenem a źródłem jest większe niż napięcie odcięcia.

Napięcie odcięcia UP: UGS wymagane do zmniejszenia ID do małego prądu, gdy UDS jest pewne;

Napięcie włączenia UT: UGS wymagane do doprowadzenia ID do określonej wartości, gdy UDS jest pewne.

2. Parametry prądu przemiennego

Transkonduktancja niskiej częstotliwości gm: Opisuje wpływ sterowania napięciem bramki i źródła na prąd drenu.

Pojemność międzybiegunowa: pojemność między trzema elektrodami MOSFET-u, im mniejsza wartość, tym lepsza wydajność.

3、Ogranicz parametry

Drenaż, napięcie przebicia źródła: gdy prąd drenu gwałtownie wzrasta, w przypadku UDS spowoduje to przebicie lawinowe.

Napięcie przebicia bramki: normalna praca lampy pola złączowego, bramka i źródło pomiędzy złączem PN w stanie polaryzacji zaporowej, prąd jest zbyt duży, aby spowodować przebicie.

II. CharakterystykaMOSFETy

MOSFET ma funkcję wzmacniania i może tworzyć wzmocniony obwód. W porównaniu z triodą ma następujące cechy.

(1) MOSFET jest urządzeniem sterowanym napięciem, a potencjał jest kontrolowany przez UGS;

(2) Prąd na wejściu MOSFET-u jest bardzo mały, więc jego rezystancja wejściowa jest bardzo wysoka;

(3) Jego stabilność temperaturowa jest dobra, ponieważ wykorzystuje większość nośników do przewodnictwa;

(4) Współczynnik wzmocnienia napięcia w obwodzie wzmacniającym jest mniejszy niż w przypadku triody;

(5) Jest bardziej odporny na promieniowanie.

Trzeci,MOSFET i porównanie tranzystorów

(1) Źródło MOSFET, bramka, dren i źródło triody, podstawa, biegun wartości zadanej odpowiadają roli podobnej.

(2) MOSFET jest urządzeniem prądowym sterowanym napięciem, współczynnik wzmocnienia jest mały, zdolność wzmocnienia jest słaba; trioda jest urządzeniem napięciowym sterowanym prądem, zdolność wzmocnienia jest duża.

(3) Bramka MOSFET w zasadzie nie pobiera prądu; i praca triody, podstawa pochłonie określony prąd. Dlatego rezystancja wejściowa bramki MOSFET jest wyższa niż rezystancja wejściowa triody.

(4) W procesie przewodzenia MOSFET-u bierze udział politron, a w triodzie biorą udział dwa rodzaje nośników, politron i oligotron, a na stężenie oligotronu duży wpływ ma temperatura, promieniowanie i inne czynniki, dlatego MOSFET ma lepszą stabilność temperaturową i odporność na promieniowanie niż tranzystor. MOSFET należy wybierać, gdy warunki środowiskowe bardzo się zmieniają.

(5) Gdy MOSFET jest podłączony do metalu źródłowego i podłoża, źródło i dren można zamieniać, a charakterystyka nie zmienia się zbytnio, natomiast gdy wymieniany jest kolektor i emiter tranzystora, charakterystyki są różne, a wartość β jest zmniejszona.

(6) Współczynnik szumów MOSFET-u jest niewielki.

(7) MOSFET i trioda mogą składać się z różnych obwodów wzmacniaczy i obwodów przełączających, ale ten pierwszy zużywa mniej energii, wysoką stabilność termiczną i szeroki zakres napięcia zasilania, dlatego jest szeroko stosowany w dużych i bardzo dużych skalowane układy scalone.

(8) Rezystancja włączenia triody jest duża, a rezystancja włączenia tranzystora MOSFET jest mała, dlatego tranzystory MOSFET są powszechnie stosowane jako przełączniki o wyższej wydajności.