Ładowanie baterii litowej jest łatwe do uszkodzenia, WINSOK MOSFET Ci w tym pomoże!

Czas publikacji: 28 lipca 2024 r

Lit, jako nowy rodzaj akumulatorów przyjaznych środowisku, od dawna jest stopniowo stosowany w samochodach akumulatorowych. Nieznane ze względu na właściwości akumulatorów litowo-żelazowo-fosforanowych. Podczas stosowania należy przeprowadzić proces ładowania akumulatora, aby przeprowadzić konserwację, aby zapobiec przeładowaniu, utracie mocy lub nadmiernej temperaturze, aby zapewnić bezpieczeństwo akumulatora. Jednakże zabezpieczenie nadprądowe jest polaryzacją całego procesu ładowania i rozładowywania w ekstremalnych standardach pracy, więc jak wybrać specyfikację modelu MOSFET mocy i programy projektowe odpowiednie dla obwodu napędowego?

Ładowanie baterii litowej jest łatwe do uszkodzenia, WINSOK MOSFET Ci w tym pomoże!

Specyficzne prace, oparte na różnych zastosowaniach, obejmą kilka równolegle pracujących tranzystorów MOSFET mocy, aby zmniejszyć rezystor włączony i poprawić charakterystykę przewodności cieplnej. Podczas normalnej pracy należy manipulować sygnałem danych, aby włączyć MOSFET, zaciski P akumulatora litowego i napięcie wyjściowe P do zastosowań operacyjnych. W tym czasie MOSFET mocy znajduje się w stanie przewodzenia, strata mocy to tylko strata przewodzenia, brak strat przy przełączaniu mocy, całkowita strata mocy MOSFET-a mocy nie jest wysoka, wzrost temperatury jest niewielki, więc MOSFET mocy może pracować bezpiecznie.

Ładowanie baterii litowej jest łatwe do uszkodzenia, WINSOK MOSFET Ci w tym pomoże!(1)

Jednakże, gdy load powoduje zwarcie, pojemność zwarciowa nagle wzrasta z kilkudziesięciu amperów przy normalnej pracy do kilkuset amperów, ponieważ rezystancja obwodu nie jest duża, a akumulator ma dużą pojemność ładowania, a mocMOSFETy w takim przypadku bardzo łatwo je zniszczyć. Dlatego jeśli to możliwe, wybierz MOSFET z małym RDS (ON), aby było ich mniejMOSFETy można stosować równolegle. Kilka równolegle podłączonych tranzystorów MOSFET jest podatnych na brak równowagi prądowej. W przypadku równoległych tranzystorów MOSFET wymagane są oddzielne i identyczne rezystory push, aby uniknąć wahań między tranzystorami MOSFET.