Sytuacja obwodu aplikacji mosfet

Czas publikacji: 04 lipca 2024 r

Projektując zasilacz impulsowy lub obwód napędu silnika zmosfet, większość ludzi weźmie pod uwagę rezystancję tranzystora mos, maksymalne napięcie i maksymalny prąd, ale to wszystko, co wezmą pod uwagę. Taki obwód może działać, ale nie jest to obwód wysokiej jakości i nie można go projektować jako produktu formalnego.

Najważniejszą cechąmosfetjest przełączaniem, dzięki czemu może być szeroko stosowany w różnych obwodach wymagających przełączania elektronicznego, takich jak zasilacze impulsowe i obwody napędu silników. Obecnie sytuacja w obwodzie aplikacji mosfet:

1, zastosowania niskonapięciowe

W przypadku korzystania z zasilacza 5 V, jeśli używana jest tradycyjna konstrukcja słupa totemowego, ze względu na spadek napięcia na tranzystorze wynoszący tylko około 0,7 V, rzeczywiste napięcie ostatecznie załadowane na bramkę wynosi tylko 4,3 V, w tym momencie, jeśli tak wybierzemy mosfet o napięciu 4,5 V, cały obwód będzie obarczony pewnym ryzykiem. Ten sam problem wystąpi w przypadku korzystania z zasilacza 3V lub innego niskonapięciowego.

2, szerokie zastosowania napięciowe

W naszym codziennym życiu napięcie, które wprowadzamy, nie ma stałej wartości, będzie miało na niego wpływ czas lub inne czynniki. Efekt ten spowoduje, że obwód pwm będzie dostarczał bardzo niestabilne napięcie sterujące do mosfetu. Aby umożliwić bezpieczną pracę tranzystorów Mos przy wysokich napięciach bramki, należy zastosować wielemosfetyobecnie mają wbudowane regulatory napięcia, które ograniczają napięcie bramki. W tym momencie, gdy dostarczane napięcie napędu przekracza napięcie regulatora, następuje znaczny pobór mocy statycznej. Jednocześnie, jeśli napięcie bramki zostanie po prostu zmniejszone za pomocą zasady dzielnika napięcia rezystora, napięcie wejściowe będzie stosunkowo wysokie i mosfet będzie działał dobrze. Gdy napięcie wejściowe jest zmniejszone, napięcie bramki jest niewystarczające, co powoduje niepełne przewodzenie i zwiększone zużycie energii.