Przyczyny i zapobieganie awariom MOSFET-Olukey

Dwie główne przyczynyof MOSFET awaria:

Awaria napięcia: oznacza to, że napięcie BVdss między drenem a źródłem przekracza napięcie znamionoweMOSFET i sięga określonej pojemności, powodując awarię MOSFET-u.

Awaria napięcia bramki: W bramce występuje nietypowy skok napięcia, który powoduje awarię warstwy tlenowej bramki.

Błąd upadku (awaria napięcia)

Czym dokładnie są szkody lawinowe? Mówiąc najprościej,MOSFET to tryb awaryjny powstały w wyniku superpozycji napięć szyny, napięć odbicia transformatora, napięć szczytowych upływu itp. i MOSFET-u. Krótko mówiąc, jest to powszechna awaria, która pojawia się, gdy napięcie na biegunie dren-źródło tranzystora MOSFET przekracza określoną wartość napięcia i osiąga określony limit energii.

Środki zapobiegające szkodom lawinowym:

- Odpowiednio zmniejszyć dawkę. W tej branży jest on zwykle redukowany o 80-95%. Wybierz na podstawie warunków gwarancji firmy i priorytetów linii.

-Napięcie odblaskowe jest rozsądne.

- Konstrukcja obwodu absorpcyjnego RCD, TVS jest rozsądna.

-Okablowanie wysokoprądowe powinno być tak duże, jak to możliwe, aby zminimalizować indukcyjność pasożytniczą.

-Wybierz odpowiedni rezystor bramki Rg.

-W razie potrzeby dodaj tłumienie RC lub absorpcję diody Zenera dla zasilaczy o dużej mocy.

Przyczyny i zapobieganie awariom MOSFET-u(1)

Awaria napięcia bramki

Istnieją trzy główne przyczyny nienormalnie wysokich napięć sieciowych: elektryczność statyczna podczas produkcji, transportu i montażu; rezonans wysokiego napięcia generowany przez pasożytnicze parametry urządzeń i obwodów podczas pracy systemu elektroenergetycznego; oraz przesyłanie wysokiego napięcia przez Ggd do sieci podczas udarów wysokiego napięcia (usterka częściej występująca podczas testów uderzenia pioruna).

Środki zapobiegające błędom napięcia bramki:

Ochrona przeciwprzepięciowa między bramką a źródłem: Gdy impedancja między bramką a źródłem jest zbyt wysoka, nagła zmiana napięcia między bramką a źródłem jest sprzężona z bramką poprzez pojemność między elektrodami, co powoduje bardzo dużą nadregulację napięcia UGS, co prowadzi do nadmiernej regulacji bramy. Trwałe uszkodzenia oksydacyjne. Jeśli UGS ma dodatnie napięcie przejściowe, urządzenie może również powodować błędy. Na tej podstawie należy odpowiednio zmniejszyć impedancję obwodu sterującego bramką i pomiędzy bramkę a źródło włączyć rezystor tłumiący lub napięcie stabilizujące 20V. Należy zachować szczególną ostrożność, aby zapobiec otwarciu drzwi.

Zabezpieczenie przeciwprzepięciowe pomiędzy lampami wyładowczymi: Jeśli w obwodzie znajduje się cewka indukcyjna, nagłe zmiany prądu upływowego (di/dt), gdy urządzenie jest wyłączone, spowodują przekroczenie napięcia upływowego znacznie powyżej napięcia zasilania, powodując uszkodzenie urządzenia. Zabezpieczenie powinno obejmować zacisk Zenera, zacisk RC lub obwód tłumiący RC.