WSF70P02 Kanał P -20V -70A TO-252 MOSFET WINSOK
Opis ogólny
MOSFET WSF70P02 to najwyższej klasy urządzenie z kanałem P o dużej gęstości ogniw. Oferuje znakomite ładowanie RDSON i bramkę dla większości zastosowań synchronicznych konwerterów buck. Urządzenie spełnia wymagania RoHS i Green Product, jest objęte 100% gwarancją EAS i zostało zatwierdzone pod kątem pełnej niezawodności działania.
Cechy
Zaawansowana technologia wykopów z dużą gęstością ogniw, bardzo niskim ładunkiem bramki, doskonałą redukcją efektu CdV/dt, 100% gwarancją EAS i opcjami urządzeń przyjaznych dla środowiska.
Aplikacje
Synchroniczny punkt obciążenia wysokiej częstotliwości, Przetwornica buck dla MB/NB/UMPC/VGA, Sieciowy system zasilania DC-DC, Przełącznik obciążenia, E-papierosy, ładowanie bezprzewodowe, silniki, zasilacze awaryjne, drony, opieka medyczna, ładowarki samochodowe , sterowniki, produkty cyfrowe, drobny sprzęt AGD, elektronika użytkowa.
odpowiedni numer materiału
AOS
Ważne parametry
| Symbol | Parametr | Ocena | Jednostki | |
| 10 s | Stan stały | |||
| VDS | Napięcie dren-źródło | -20 | V | |
| VGS | Napięcie bramka-źródło | ±12 | V | |
| ID@TC=25℃ | Ciągły prąd drenu, VGS @ -10V1 | -70 | A | |
| ID@TC=100℃ | Ciągły prąd drenu, VGS @ -10V1 | -36 | A | |
| IDM | Impulsowy prąd drenu2 | -200 | A | |
| ŁAD | Energia lawinowa z pojedynczym impulsem3 | 360 | mJ | |
| MSR | Prąd lawinowy | -55,4 | A | |
| PD @ TC = 25 ℃ | Całkowite rozproszenie mocy4 | 80 | W | |
| TSTG | Zakres temperatur przechowywania | -55 do 150 | ℃ | |
| TJ | Zakres temperatury złącza roboczego | -55 do 150 | ℃ | |
| Symbol | Parametr | Warunki | Min. | Typ. | Maks. | Jednostka |
| BVDSS | Napięcie przebicia dren-źródło | VGS=0V, ID=-250uA | -20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Współczynnik temperaturowy BVDSS | Odniesienie do 25℃, ID=-1mA | --- | -0,018 | --- | V/℃ |
| RDS (wł.) | Statyczna rezystancja włączenia drenażu-źródła2 | VGS=-4,5V, ID=-15A | --- | 6.8 | 9,0 | mΩ |
| VGS=-2,5V, ID=-10A | --- | 8.2 | 11 | |||
| VGS(th) | Napięcie progowe bramki | VGS=VDS, ID=-250uA | -0,4 | -0,6 | -1,2 | V |
| △VGS(th) | Współczynnik temperaturowy VGS(th). | --- | 2,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Prąd upływu dren-źródło | VDS=-20V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=-20V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Prąd upływu bramki-źródła | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| dziewczyna | Transkonduktancja do przodu | VDS=-5V, ID=-10A | --- | 45 | --- | S |
| Qg | Całkowity poziom naładowania bramki (-4,5 V) | VDS=-15V, VGS=-4,5V, ID=-10A | --- | 63 | --- | nC |
| Qgs | Ładunek bramy-źródła | --- | 9.1 | --- | ||
| Qgd | Ładunek Bramowo-Drenujący | --- | 13 | --- | ||
| Td(wł.) | Czas opóźnienia włączenia | VDD=-10 V, VGS=-4,5 V, RG=3,3 Ω, ID=-10A | --- | 16 | --- | ns |
| Tr | Czas narastania | --- | 77 | --- | ||
| Td (wyłączone) | Czas opóźnienia wyłączenia | --- | 195 | --- | ||
| Tf | Czas jesienny | --- | 186 | --- | ||
| Ciss | Pojemność wejściowa | VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 5783 | --- | pF |
| Koss | Pojemność wyjściowa | --- | 520 | --- | ||
| Krzyś | Odwrotna pojemność transferu | --- | 445 | --- |
