WSD100N15DN56G N-kanałowy 150 V 100 A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK

Numer części:WSD100N15DN56G

BVDSS:150 V

ID:100A

RDSON:6 mΩ

Kanał:Kanał N

Pakiet:DFN5X6-8

Wyślij zapytanie PDF

Szczegóły produktu

Napięcie MOSFET WSD100N15DN56G wynosi 150 V, prąd wynosi 100 A, rezystancja 6 mΩ, kanał jest kanałem N, a opakowanie to DFN5X6-8.

Zasilacze medyczne MOSFET, PD MOSFET, drony MOSFET, elektroniczne papierosy MOSFET, MOSFET dużych urządzeń i elektronarzędzia MOSFET.

Symbol	Parametr	Ocena	Jednostki
VDS	Napięcie dren-źródło	150	V
VGS	Napięcie bramka-źródło	±20	V
ID	Ciągły prąd drenu, V_GS@ 10 V (T_C=25 ℃)	100	A
IDM	Impulsowy prąd drenu	360	A
ŁAD	Energia lawinowa z pojedynczym impulsem	400	mJ
P_D	Całkowite rozproszenie mocy..._C=25 ℃)	160	W
RθJA	Opór cieplny złącze-otoczenie	62	℃/W
RθJC	Opór cieplny, obudowa przyłączeniowa	0,78	℃/W
TSTG	Zakres temperatur przechowywania	-55 do 175	℃
T_J	Zakres temperatury złącza roboczego	-55 do 175	℃

Symbol	Parametr	Warunki	Min.	Typ.	Maks.	Jednostka
BV_DSS	Napięcie przebicia dren-źródło	V_GS=0 V, I_D=250uA	150	---	---	V
RDS (wł.)	Statyczna rezystancja włączenia dren-źródło²	V_GS=10 V, I_D=20A	---	9	12	mΩ
VGS(th)	Napięcie progowe bramki	V_GS=V_DS, I_D=250uA	2.0	3.0	4,0	V
IDSS	Prąd upływu dren-źródło	V_DS=100 V, V_GS=0 V, T_J= 25 ℃	---	---	1	uA
IGSS	Prąd upływu bramki-źródła	V_GS=±20V, V_DS=0 V	---	---	±100	nA
Q_g	Całkowita opłata za bramę	V_DS=50V, V_GS=10 V, I_D=20A	---	66	---	nC
Q_gs	Ładunek bramy-źródła		---	26	---
Q_gd	Ładunek Bramowo-Drenujący		---	18	---
Td(wł.)	Czas opóźnienia włączenia	V_DD=50V,V_GS=10 V R_G=2Ω, I_D=20A	---	37	---	ns
T_r	Czas narastania		---	98	---
Td (wyłączone)	Czas opóźnienia wyłączenia		---	55	---
T_f	Czas jesienny		---	20	---
C_jest	Pojemność wejściowa	V_DS=30V, V_GS=0 V, f=1 MHz	---	5450	---	pF
Koss	Pojemność wyjściowa		---	1730	---
C_rss	Odwrotna pojemność transferu		---	195	---