WST2088A N-kanałowy 20 V 7,5 A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

krótki opis:

Numer modelu:WST2088A

BVDSS:20 V

RDSON:10,7 mΩ

ID:7,5A

Kanał:Kanał N

Pakiet:SOT-23-3L

Produkt Letni:Napięcie MOSFET WST2088A wynosi 20 V, prąd wynosi 7,5 A, rezystancja 10,7 mΩ, kanał jest kanałem N, a opakowanie to SOT-23-3L.

Aplikacje:Elektroniczne papierosy, kontrolery, produkty cyfrowe, drobny sprzęt AGD, elektronika użytkowa itp.

Wyślij e-mail do nas PDF

Szczegóły produktu

Aplikacja

Tagi produktów

Ogólny opis

WST2088A to najwyższej jakości kanałowe tranzystory MOSFET N-ch o ekstremalnie dużej gęstości ogniw, które zapewniają doskonały współczynnik RDSON i ładunek bramki w większości małych zastosowań związanych z przełączaniem mocy i przełączaniem obciążenia.WST2088A spełnia wymagania RoHS i produktu ekologicznego z zatwierdzoną pełną niezawodnością działania.

Cechy

Zaawansowana technologia wykopów o dużej gęstości ogniw, bardzo niski poziom naładowania bramki, doskonały spadek efektu Cdv/dt, dostępne urządzenie ekologiczne

Aplikacje

Aplikacja do przełączania zasilania, obwody przełączane na stałe i wysokiej częstotliwości, zasilacze awaryjne, papierosy elektroniczne, kontrolery, produkty cyfrowe, mały sprzęt gospodarstwa domowego, elektronika użytkowa itp.

odpowiedni numer materiału

AO AO3416, NA NTR3C21NZ, VISHAY Si2312CDS, Nxperian PMV16XN itp.

Ważne parametry

Charakterystyka elektryczna (TJ=25 ℃, chyba że zaznaczono inaczej)

Symbol	Parametr	Ocena	Jednostki
VDS	Napięcie dren-źródło	20	V
VGS	Napięcie bramka-źródło	±12	V
ID @ Tc = 25 ℃	Ciągły prąd drenu, VGS przy 4,5 V	7,5	A
ID @ Tc = 70 ℃	Ciągły prąd drenu, VGS przy 4,5 V	4,5	A
IDP	Impulsowy prąd drenu	24	A
PD @ TA = 25 ℃	Całkowite rozproszenie mocy	1,25	W
TSTG	Zakres temperatur przechowywania	-55 do 150	℃
TJ	Zakres temperatury złącza roboczego	-55 do 150	℃

Symbol	Parametr	Warunki	Min.	Typ.	Maks.	Jednostka
BVDSS	Napięcie przebicia dren-źródło	VGS=0V, ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Współczynnik temperaturowy BVDSS	Odniesienie do 25℃, ID=1mA	---	0,018	---	V/℃
RDS (wł.)	Statyczna rezystancja włączenia drenażu-źródła2	VGS=4,5V, ID=6A	---	10.7	14	mΩ
RDS (wł.)	Statyczna rezystancja włączenia drenażu-źródła2					mΩ
		VGS=2,5V, ID=5A	---	12.8	17
VGS(th)	bramka napięcia progowego	VGS=VDS, ID=250uA	0,4	0,63	1.2	V
IDSS	Prąd upływu dren-źródło	VDS=16V, VGS=0V.	---	---	10	uA
IGSS	Prąd upływu bramki-źródła	VGS=±12V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Qg	Całkowita opłata za bramę	VDS=15V, VGS=4,5V, ID=6A	---	10	---	nC
Qgs	Ładunek bramy-źródła		---	1.6	---
Qgd	Ładunek Bramowo-Drenujący		---	3.4	---
Td(wł.)	Czas opóźnienia włączenia	VDS=10V, VGS=4,5V,RG=3,3Ω ID=1A	---	8	---	ns
Tr	Czas narastania		---	15	---
Td (wyłączone)	Czas opóźnienia wyłączenia		---	33	---
Tf	Czas jesienny		---	13	---
Ciss	Pojemność wejściowa	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	590	---	pF
Koss	Pojemność wyjściowa		---	125	---
Krzyś	Odwrotna pojemność transferu		---	90	---