WSP4888 Podwójny kanał N 30 V 9,8 A SOP-8 MOSFET WINSOK

produkty

WSP4888 Podwójny kanał N 30 V 9,8 A SOP-8 MOSFET WINSOK

krótki opis:


  • Numer modelu:WSP4888
  • BVDSS:30 V
  • RDSON:13,5 mΩ
  • ID:9,8A
  • Kanał:Podwójny kanał N
  • Pakiet:SOP-8
  • Produkt Letni:Napięcie MOSFET WSP4888 wynosi 30 V, prąd wynosi 9,8 A, rezystancja 13,5 mΩ, kanał jest podwójnym kanałem N, a opakowanie to SOP-8.
  • Aplikacje:E-papierosy, ładowarki bezprzewodowe, silniki, drony, opieka zdrowotna, ładowarki samochodowe, sterowanie, urządzenia cyfrowe, małe urządzenia i elektronika dla konsumentów.
  • Szczegóły produktu

    Aplikacja

    Tagi produktów

    Ogólny opis

    WSP4888 to wysokowydajny tranzystor o gęstej strukturze komórkowej, idealny do stosowania w synchronicznych przetwornicach buck.Charakteryzuje się doskonałym współczynnikiem RDSON i ładunkami bramkowymi, co czyni go najlepszym wyborem do tych zastosowań.Dodatkowo WSP4888 spełnia zarówno wymagania RoHS, jak i produktów ekologicznych i jest objęty 100% gwarancją EAS na niezawodne działanie.

    Cechy

    Zaawansowana technologia wykopów charakteryzuje się dużą gęstością ogniw i bardzo niskim ładunkiem bramki, co znacznie zmniejsza efekt CdV/dt.Nasze urządzenia są objęte 100% gwarancją EAS i opcjami przyjaznymi dla środowiska.

    Nasze tranzystory MOSFET przechodzą rygorystyczne środki kontroli jakości, aby zapewnić, że spełniają najwyższe standardy branżowe.Każde urządzenie jest dokładnie testowane pod kątem wydajności, trwałości i niezawodności, co zapewnia długą żywotność produktu.Jego wytrzymała konstrukcja pozwala wytrzymać ekstremalne warunki pracy, zapewniając nieprzerwaną funkcjonalność sprzętu.

    Konkurencyjne ceny: Pomimo najwyższej jakości nasze tranzystory MOSFET są bardzo konkurencyjne cenowo, zapewniając znaczne oszczędności bez utraty wydajności.Wierzymy, że wszyscy konsumenci powinni mieć dostęp do produktów wysokiej jakości, a nasza strategia cenowa odzwierciedla to zaangażowanie.

    Szeroka kompatybilność: nasze tranzystory MOSFET są kompatybilne z różnymi systemami elektronicznymi, co czyni je wszechstronnym wyborem dla producentów i użytkowników końcowych.Bezproblemowo integruje się z istniejącymi systemami, zwiększając ogólną wydajność bez konieczności wprowadzania większych modyfikacji projektu.

    Aplikacje

    Synchroniczny konwerter buck o wysokiej częstotliwości do użytku w systemach MB/NB/UMPC/VGA, sieciowych systemach zasilania DC-DC, przełącznikach obciążenia, e-papierosach, ładowarkach bezprzewodowych, silnikach, dronach, sprzęcie medycznym, ładowarkach samochodowych, kontrolerach , Produkty cyfrowe, Mały sprzęt gospodarstwa domowego i Elektronika użytkowa.

    odpowiedni numer materiału

    AOS AO4832 AO4838 AO4914, na NTMS4916N, VISHAY Si4128DY, INFINEON BSO150N03MD G, Sinopower SM4803DSK, dintek DTM4926 DTM4936, ruichips RU30D10H

    Ważne parametry

    Symbol Parametr Ocena Jednostki
    VDS Napięcie dren-źródło 30 V
    VGS Napięcie bramka-źródło ±20 V
    ID@TC=25℃ Ciągły prąd drenu, VGS @ 10V1 9,8 A
    ID@TC=70℃ Ciągły prąd drenu, VGS @ 10V1 8,0 A
    IDM Impulsowy prąd drenu2 45 A
    ŁAD Energia lawinowa z pojedynczym impulsem3 25 mJ
    MSR Prąd lawinowy 12 A
    PD @ TA = 25 ℃ Całkowite rozproszenie mocy4 2.0 W
    TSTG Zakres temperatur przechowywania -55 do 150
    TJ Zakres temperatury złącza roboczego -55 do 150
    Symbol Parametr Warunki Min. Typ. Maks. Jednostka
    BVDSS Napięcie przebicia dren-źródło VGS=0V, ID=250uA 30 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Współczynnik temperaturowy BVDSS Odniesienie do 25℃, ID=1mA --- 0,034 --- V/℃
    RDS (wł.) Statyczna rezystancja włączenia drenażu-źródła2 VGS=10V, ID=8,5A --- 13,5 18
           
        VGS=4,5V, ID=5A --- 18 25  
    VGS(th) bramka napięcia progowego VGS=VDS, ID=250uA 1,5 1.8 2.5 V
               
    △VGS(th) Współczynnik temperaturowy VGS(th).   --- -5,8 --- mV/℃
    IDSS Prąd upływu dren-źródło VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
           
        VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5  
    IGSS Prąd upływu bramki-źródła VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    dziewczyna Transkonduktancja do przodu VDS=5V, ID=8A --- 9 --- S
    Rg Opór bramy VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1.8 2.9 Ω
    Qg Całkowite ładowanie bramki (4,5 V) VDS=15V, VGS=4,5V, ID=8,8A --- 6 8.4 nC
    Qgs Ładunek bramy-źródła --- 1,5 ---
    Qgd Ładunek Bramowo-Drenujący --- 2.5 ---
    Td(wł.) Czas opóźnienia włączenia VDD=15V, VGEN=10V, RG=6Ω

    ID=1A,RL=15Ω

    --- 7,5 9,8 ns
    Tr Czas narastania --- 9.2 19
    Td (wyłączone) Czas opóźnienia wyłączenia --- 19 34
    Tf Czas jesienny --- 4.2 8
    Ciss Pojemność wejściowa VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz --- 590 701 pF
    Koss Pojemność wyjściowa --- 98 112
    Krzyś Odwrotna pojemność transferu --- 59 91

  • Poprzedni:
  • Następny:

  • Napisz tutaj swoją wiadomość i wyślij ją do nas