WSM340N10G N-kanałowy MOSFET 100 V 340 A TOLL-8L WINSOK

WSM340N10G N-kanałowy 100 V 340 A TOLL-8L WINSOK MOSFET Wyróżniony obraz

krótki opis:

Numer modelu:WSM340N10G

BVDSS:100 V

RDSON:1,6 mΩ

ID:340A

Kanał:Kanał N

Pakiet:TOLL-8L

Produkt Letni:Napięcie MOSFET WSM340N10G wynosi 100 V, prąd 340 A, rezystancja 1,6 mΩ, kanał jest kanałem N, a opakowanie to TOLL-8L.

Aplikacje:Sprzęt medyczny, drony, zasilacze PD, zasilacze LED, urządzenia przemysłowe itp.

Wyślij zapytanie PDF

Szczegóły produktu

Aplikacja

Tagi produktów

Opis ogólny

WSM340N10G to najwyższej jakości kanałowy MOSFET N-Ch o ekstremalnie dużej gęstości ogniw, który zapewnia doskonały współczynnik RDSON i ładunek bramki w większości zastosowań synchronicznych przetwornic buck. WSM340N10G spełnia wymagania RoHS i produktów ekologicznych, gwarantuje 100% EAS i zatwierdzoną pełną niezawodność działania.

Cechy

Zaawansowana technologia wykopów o dużej gęstości ogniw, bardzo niskie ładowanie bramki, doskonały spadek efektu CdV/dt, 100% gwarancja EAS, dostępne ekologiczne urządzenie.

Aplikacje

Prostowanie synchroniczne, konwerter DC/DC, przełącznik obciążenia, sprzęt medyczny, drony, zasilacze PD, zasilacze LED, urządzenia przemysłowe itp.

Ważne parametry

Absolutne maksymalne oceny

Symbol	Parametr	Ocena	Jednostki
VDS	Napięcie dren-źródło	100	V
VGS	Napięcie bramka-źródło	±20	V
ID@TC=25℃	Ciągły prąd drenu, VGS przy 10 V	340	A
ID@TC=100℃	Ciągły prąd drenu, VGS przy 10 V	230	A
IDM	Impulsowy prąd drenu..TC=25°C	1150	A
ŁAD	Energia lawinowa, pojedynczy impuls, L=0,5mH	1800	mJ
MSR	Prąd lawinowy, pojedynczy impuls, L=0,5mH	120	A
PD @ TC = 25 ℃	Całkowite rozproszenie mocy	375	W
PD @ TC = 100 ℃	Całkowite rozproszenie mocy	187	W
TSTG	Zakres temperatur przechowywania	-55 do 175	℃
TJ	Zakres temperatury złącza roboczego	175	℃

Charakterystyka elektryczna (TJ=25℃, chyba że zaznaczono inaczej)

Symbol	Parametr	Warunki	Min.	Typ.	Maks.	Jednostka
BVDSS	Napięcie przebicia dren-źródło	VGS=0V, ID=250uA	100	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Współczynnik temperaturowy BVDSS	Odniesienie do 25℃, ID=1mA	---	0,096	---	V/℃
RDS (wł.)	Statyczna rezystancja włączenia dren-źródło	VGS=10V, ID=50A	---	1.6	2.3	mΩ
VGS(th)	Napięcie progowe bramki	VGS=VDS, ID=250uA	2.0	3.0	4,0	V
△VGS(th)	Współczynnik temperaturowy VGS(th).	VGS=VDS, ID=250uA	---	-5,5	---	mV/℃
IDSS	Prąd upływu dren-źródło	VDS=85V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Prąd upływu dren-źródło	VDS=85V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Prąd upływu bramki-źródła	VGS=±25V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Opór bramy	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	1,0	---	Ω
Qg	Całkowite obciążenie bramki (10 V)	VDS=50V, VGS=10V, ID=50A	---	260	---	nC
Qgs	Ładunek bramy-źródła		---	80	---
Qgd	Ładunek Bramowo-Drenujący		---	60	---
Td(wł.)	Czas opóźnienia włączenia	VDD=50V, VGS=10V,RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A.	---	88	---	ns
Tr	Czas narastania		---	50	---
Td (wyłączone)	Czas opóźnienia wyłączenia		---	228	---
Tf	Czas jesienny		---	322	---
Ciss	Pojemność wejściowa	VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz	---	13900	---	pF
Koss	Pojemność wyjściowa		---	6160	---
Krzyś	Odwrotna pojemność transferu		---	220	---