WSD80130DN56 N-kanałowy 80V 130A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK

produkty

WSD80130DN56 N-kanałowy 80V 130A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK

krótki opis:

Numer części:WSD80130DN56

BVDSS:80 V

ID:130A

RDSON:2,7 mΩ

Kanał:Kanał N

Pakiet:DFN5X6-8


Szczegóły produktu

Aplikacja

Tagi produktów

Przegląd produktów WINSOK MOSFET

Napięcie MOSFET WSD80130DN56 wynosi 80 V, prąd wynosi 130 A, rezystancja 2,7 mΩ, kanał jest kanałem N, a opakowanie to DFN5X6-8.

Obszary zastosowań WINSOK MOSFET

Drony MOSFET, silniki MOSFET, MOSFET medyczny, elektronarzędzia MOSFET, ESC MOSFET.

WINSOK MOSFET odpowiada numerom materiałów innych marek

MOSFET AOS AON6276, AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.

Parametry MOSFET-a

Symbol

Parametr

Ocena

Jednostki

VDS

Napięcie dren-źródło

80

V

VGS

Brama Sournapięcie ce

±20

V

TJ

Maksymalna temperatura złącza

150

°C

ID

Zakres temperatur przechowywania

-55 do 150

°C

ID

Ciągły prąd drenu, VGS=10 V, TC=25°C

130

A

Ciągły prąd drenu, VGS=10 V, TC=70°C

89

A

IDM

Impulsowy prąd drenu, TC=25°C

400

A

PD

Maksymalne rozproszenie mocy, TC=25°C

200

W

RqJC

Połączenie oporu cieplnego z obudową

1,25

°C

       

 

Symbol

Parametr

Warunki

Min.

Typ.

Maks.

Jednostka

BVDSS

Napięcie przebicia dren-źródło VGS=0 V, ID=250uA

80

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSWspółczynnik temperatury Odniesienie do 25, ID=1 mA

---

0,043

---

V/

RDS (wł.)

Statyczny opór dren-źródło2 VGS=10V, ID=40A

---

2.7

3.6

mΩ

VGS(th)

bramka napięcia progowego VGS=VDS, ID=250uA

2.0

3.0

4,0

V

VGS(th)

VGS(th)Współczynnik temperatury

---

-6,94

---

mV/

IDSS

Prąd upływu dren-źródło VDS=48 V, VGS=0 V, TJ=25

---

---

2

uA

VDS=48 V, VGS=0 V, TJ=55

---

---

10

IGSS

Prąd upływu bramki-źródła VGS=±20 V, VDS=0 V

---

---

±100

nA

Qg

Całkowite obciążenie bramki (10 V) VDS=30V, VGS=10 V, ID=30A

---

48,6

---

nC

Qgs

Ładunek bramy-źródła

---

17,5

---

Qgd

Ładunek Bramowo-Drenujący

---

10.4

---

Td(wł.)

Czas opóźnienia włączenia VDD=30V, VGS=10V,

RG=2,5Ω, ID=2A,RL=15Ω.

---

20

---

ns

Tr

Czas narastania

---

10

---

Td (wyłączone)

Czas opóźnienia wyłączenia

---

35

---

Tf

Czas jesienny

---

12

---

Cjest

Pojemność wejściowa VDS=25 V, VGS=0 V, f=1 MHz

---

4150

---

pF

Koss

Pojemność wyjściowa

---

471

---

Crss

Odwrotna pojemność transferu

---

20

---


  • Poprzedni:
  • Następny:

  • Napisz tutaj swoją wiadomość i wyślij ją do nas