WSD80120DN56 N-kanałowy 85V 120A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Przegląd produktów WINSOK MOSFET
Napięcie MOSFET WSD80120DN56 wynosi 85 V, prąd wynosi 120 A, rezystancja 3,7 mΩ, kanał jest kanałem N, a opakowanie to DFN5X6-8.
Obszary zastosowań WINSOK MOSFET
Medyczne napięcie MOSFET, sprzęt fotograficzny MOSFET, drony MOSFET, sterowanie przemysłowe MOSFET, 5G MOSFET, elektronika samochodowa MOSFET.
WINSOK MOSFET odpowiada numerom materiałów innych marek
MOSFET AOS AON6276, AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.
Parametry MOSFET-a
| Symbol | Parametr | Ocena | Jednostki |
| VDS | Napięcie dren-źródło | 85 | V |
| VGS | Brama Sournapięcie ce | ±25 | V |
| ID@TC=25℃ | Ciągły prąd drenu, VGS@ 10 V | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Ciągły prąd drenu, VGS@ 10 V | 96 | A |
| IDM | Impulsowy prąd drenu..TC=25°C | 384 | A |
| ŁAD | Energia lawinowa, pojedynczy impuls, L=0,5mH | 320 | mJ |
| MSR | Prąd lawinowy, pojedynczy impuls, L=0,5mH | 180 | A |
| PD@TC=25℃ | Całkowite rozproszenie mocy | 104 | W |
| PD@TC=100℃ | Całkowite rozproszenie mocy | 53 | W |
| TSTG | Zakres temperatur przechowywania | -55 do 175 | ℃ |
| TJ | Zakres temperatury złącza roboczego | 175 | ℃ |
| Symbol | Parametr | Warunki | Min. | Typ. | Maks. | Jednostka |
| BVDSS | Napięcie przebicia dren-źródło | VGS=0 V, ID=250uA | 85 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSWspółczynnik temperatury | Odniesienie do 25℃, ID=1 mA | --- | 0,096 | --- | V/℃ |
| RDS (wł.) | Statyczny opór dren-źródło | VGS=10 V, ID=50A | --- | 3.7 | 4.8 | mΩ |
| VGS(th) | bramka napięcia progowego | VGS=VDS, ID=250uA | 2.0 | 3.0 | 4,0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Współczynnik temperatury | --- | -5,5 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Prąd upływu dren-źródło | VDS=85 V, VGS=0 V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=85 V, VGS=0 V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Prąd upływu bramki-źródła | VGS=±25 V, VDS=0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| Rg | Opór bramy | VDS=0 V, VGS=0 V, f=1 MHz | --- | 3.2 | --- | Ω |
| Qg | Całkowite obciążenie bramki (10 V) | VDS=50V, VGS=10 V, ID=10A | --- | 54 | --- | nC |
| Qgs | Ładunek bramy-źródła | --- | 17 | --- | ||
| Qgd | Ładunek Bramowo-Drenujący | --- | 11 | --- | ||
| Td(wł.) | Czas opóźnienia włączenia | VDD=50V, VGS=10V, RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=10A. | --- | 21 | --- | ns |
| Tr | Czas narastania | --- | 18 | --- | ||
| Td (wyłączone) | Czas opóźnienia wyłączenia | --- | 36 | --- | ||
| Tf | Czas jesienny | --- | 10 | --- | ||
| Cjest | Pojemność wejściowa | VDS=40V, VGS=0 V, f=1 MHz | --- | 3750 | --- | pF |
| Koss | Pojemność wyjściowa | --- | 395 | --- | ||
| Crss | Odwrotna pojemność transferu | --- | 180 | --- |
