WSD75N12GDN56 N-kanałowy 120 V 75 A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Przegląd produktów WINSOK MOSFET
Napięcie MOSFET WSD75N12GDN56 wynosi 120 V, prąd wynosi 75 A, rezystancja 6 mΩ, kanał jest kanałem N, a opakowanie to DFN5X6-8.
Obszary zastosowań WINSOK MOSFET
Sprzęt medyczny MOSFET, drony MOSFET, zasilacze PD MOSFET, zasilacze LED MOSFET, urządzenia przemysłowe MOSFET.
Pola zastosowań MOSFET MOSFET WINSOK odpowiada numerom materiałów innych marek
MOSFET AOS AON6226, AON6294, AON6298, AONS6292, AONS6692, AONS66923. MOSFET PANJIT PSMQC76N12LS1.
Parametry MOSFET-a
| Symbol | Parametr | Ocena | Jednostki |
| VDSS | Napięcie dren-źródło | 120 | V |
| VGS | Napięcie bramka-źródło | ±20 | V |
| ID | 1 Ciągły prąd drenażowy (Tc=25℃) | 75 | A |
| ID | 1 Ciągły prąd drenu (Tc=70℃) | 70 | A |
| IDM | Impulsowy prąd drenu | 320 | A |
| IAR | Pojedynczy impuls prądu lawinowego | 40 | A |
| EASa | Energia lawinowa z pojedynczym impulsem | 240 | mJ |
| PD | Rozpraszanie mocy | 125 | W |
| TJ, Tstg | Zakres temperatury złącza roboczego i przechowywania | -55 do 150 | ℃ |
| TL | Maksymalna temperatura lutowania | 260 | ℃ |
| RθJC | Opór cieplny, połączenie z obudową | 1,0 | ℃/W |
| RθJA | Opór cieplny, połączenie z otoczeniem | 50 | ℃/W |
| Symbol | Parametr | Warunki testu | Min. | Typ. | Maks. | Jednostki |
| VDSS | Napięcie przebicia dren-źródło | VGS=0V, ID=250µA | 120 | -- | -- | V |
| IDSS | Prąd upływowy od drenu do źródła | VDS = 120 V, VGS = 0 V | -- | -- | 1 | µA |
| IGSS(F) | Brama do źródła, wyciek do przodu | VGS =+20V | -- | -- | 100 | nA |
| IGSS(R) | Odwrotny wyciek od bramki do źródła | VGS = -20 V | -- | -- | -100 | nA |
| VGS(TH) | Napięcie progowe bramki | VDS=VGS, ID=250µA | 2.5 | 3.0 | 3.5 | V |
| RDS(WŁ.)1 | Rezystancja dren-źródło | VGS=10V, ID=20A | -- | 6,0 | 6.8 | mΩ |
| gFS | Transkonduktancja do przodu | VDS=5V, ID=50A | 130 | -- | S | |
| Ciss | Pojemność wejściowa | VGS = 0 V VDS = 50 V f =1,0 MHz | -- | 4282 | -- | pF |
| Koss | Pojemność wyjściowa | -- | 429 | -- | pF | |
| Krzyś | Odwrotna pojemność transferu | -- | 17 | -- | pF | |
| Rg | Opór bramy | -- | 2.5 | -- | Ω | |
| td(WŁ.) | Czas opóźnienia włączenia | ID =20A VDS = 50V VGS = 10 V RG = 5 Ω | -- | 20 | -- | ns |
| tr | Czas narastania | -- | 11 | -- | ns | |
| td(WYŁ.) | Czas opóźnienia wyłączenia | -- | 55 | -- | ns | |
| tf | Czas jesienny | -- | 28 | -- | ns | |
| Qg | Całkowita opłata za bramę | VGS = 0~10 V VDS = 50 VID =20A | -- | 61,4 | -- | nC |
| Qgs | Opłata za źródło bramy | -- | 17.4 | -- | nC | |
| Qgd | Opłata za drenaż bramy | -- | 14.1 | -- | nC | |
| IS | Prąd przewodzenia diody | TC =25°C | -- | -- | 100 | A |
| IZM | Prąd impulsowy diody | -- | -- | 320 | A | |
| VSD | Napięcie przewodzenia diody | IS=6,0A, VGS=0V | -- | -- | 1.2 | V |
| tr | Odwróć czas odzyskiwania | IS=20A, VDD=50V dIF/dt=100A/μs | -- | 100 | -- | ns |
| Qrr | Odwrotne obciążenie regeneracyjne | -- | 250 | -- | nC |
