WSD75100DN56 N-kanałowy 75 V 100 A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Przegląd produktów WINSOK MOSFET
Napięcie MOSFET WSD75100DN56 wynosi 75 V, prąd wynosi 100 A, rezystancja 5,3 mΩ, kanał jest kanałem N, a opakowanie to DFN5X6-8.
Obszary zastosowań WINSOK MOSFET
E-papierosy MOSFET, bezprzewodowe ładowanie MOSFET, drony MOSFET, opieka medyczna MOSFET, ładowarki samochodowe MOSFET, sterowniki MOSFET, produkty cyfrowe MOSFET, drobne AGD MOSFET, elektronika użytkowa MOSFET.
WINSOK MOSFET odpowiada numerom materiałów innych marek
AOS MOSFET AON6276,AON6278,AON628,AON6282,AON6448.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS6H824N.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.INFINEON,IR MOSFET BSC42NE7NS3G,BSC36NE7NS3G.POTENS Półprzewodnikowy MOSFET PDC7 966X.
Parametry MOSFET-a
| Symbol | Parametr | Ocena | Jednostki |
| VDS | Napięcie dren-źródło | 75 | V |
| VGS | Brama Sournapięcie ce | ±25 | V |
| TJ | Maksymalna temperatura złącza | 150 | °C |
| ID | Zakres temperatur przechowywania | -55 do 150 | °C |
| IS | Ciągły prąd przewodzenia diody, TC=25°C | 50 | A |
| ID | Ciągły prąd drenu, VGS=10 V, TC=25°C | 100 | A |
| Ciągły prąd drenu, VGS=10 V, TC=100°C | 73 | A | |
| IDM | Impulsowy prąd drenu, TC=25°C | 400 | A |
| PD | Maksymalne rozproszenie mocy, TC=25°C | 155 | W |
| Maksymalne rozproszenie mocy, TC=100°C | 62 | W | |
| RθJA | Opór cieplny – połączenie z otoczeniem, t = 10 s ̀ | 20 | °C |
| Połączenie oporu cieplnego z otoczeniem, stan ustalony | 60 | °C | |
| RqJC | Połączenie oporu cieplnego z obudową | 0,8 | °C |
| MSR | Prąd lawinowy, pojedynczy impuls, L=0,5mH | 30 | A |
| EAS | Energia lawinowa, pojedynczy impuls, L=0,5mH | 225 | mJ |
| Symbol | Parametr | Warunki | Min. | Typ. | Maks. | Jednostka |
| BVDSS | Napięcie przebicia dren-źródło | VGS=0 V, ID=250uA | 75 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSWspółczynnik temperaturowy | Odniesienie do 25℃, ID=1 mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS (wł.) | Statyczny opór dren-źródło2 | VGS=10V, ID=25A | --- | 5.3 | 6.4 | mΩ |
| VGS(th) | Napięcie progowe bramki | VGS=VDS, ID=250uA | 2.0 | 3.0 | 4,0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Współczynnik temperaturowy | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Prąd upływu dren-źródło | VDS=48 V, VGS=0 V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48 V, VGS=0 V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Prąd upływu bramki-źródła | VGS=±20 V, VDS=0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| dziewczyna | Transkonduktancja do przodu | VDS=5 V, ID=20A | --- | 50 | --- | S |
| Rg | Opór bramy | VDS=0 V, VGS=0 V, f=1 MHz | --- | 1,0 | 2 | Ω |
| Qg | Całkowite obciążenie bramki (10 V) | VDS=20V, VGS=10 V, ID=40A | --- | 65 | 85 | nC |
| Qgs | Ładunek bramy-źródła | --- | 20 | --- | ||
| Qgd | Ładunek Bramowo-Drenujący | --- | 17 | --- | ||
| Td(wł.) | Czas opóźnienia włączenia | VDD=30V, VGEN=10V, RG=1Ω, ID=1A,RL=15Ω. | --- | 27 | 49 | ns |
| Tr | Czas narastania | --- | 14 | 26 | ||
| Td (wyłączone) | Czas opóźnienia wyłączenia | --- | 60 | 108 | ||
| Tf | Czas jesienny | --- | 37 | 67 | ||
| Cjest | Pojemność wejściowa | VDS=20V, VGS=0 V, f=1 MHz | 3450 | 3500 | 4550 | pF |
| Koss | Pojemność wyjściowa | 245 | 395 | 652 | ||
| Crss | Odwrotna pojemność transferu | 100 | 195 | 250 |
