WSD6070DN56 N-kanałowy 60V 80A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Przegląd produktów WINSOK MOSFET
Napięcie MOSFET WSD6070DN56 wynosi 60 V, prąd wynosi 80 A, rezystancja 7,3 mΩ, kanał jest kanałem N, a opakowanie to DFN5X6-8.
Obszary zastosowań WINSOK MOSFET
E-papierosy MOSFET, bezprzewodowe ładowanie MOSFET, silniki MOSFET, drony MOSFET, opieka medyczna MOSFET, ładowarki samochodowe MOSFET, sterowniki MOSFET, produkty cyfrowe MOSFET, drobne AGD MOSFET, elektronika użytkowa MOSFET.
WINSOK MOSFET odpowiada numerom materiałów innych marek
MOSFET Półprzewodnikowy MOSFET PDC696X.
Parametry MOSFET-a
| Symbol | Parametr | Ocena | Jednostki |
| VDS | Napięcie dren-źródło | 60 | V |
| VGS | Brama Sournapięcie ce | ±20 | V |
| TJ | Maksymalna temperatura złącza | 150 | °C |
| ID | Zakres temperatur przechowywania | -55 do 150 | °C |
| IS | Ciągły prąd przewodzenia diody, TC=25°C | 80 | A |
| ID | Ciągły prąd drenu, VGS=10 V, TC=25°C | 80 | A |
| Ciągły prąd drenu, VGS=10 V, TC=100°C | 66 | A | |
| IDM | Impulsowy prąd drenu, TC=25°C | 300 | A |
| PD | Maksymalne rozproszenie mocy, TC=25°C | 150 | W |
| Maksymalne rozproszenie mocy, TC=100°C | 75 | W | |
| RθJA | Opór cieplny – połączenie z otoczeniem, t = 10 s ̀ | 50 | °C/W |
| Połączenie oporu cieplnego z otoczeniem, stan ustalony | 62,5 | °C/W | |
| RqJC | Połączenie oporu cieplnego z obudową | 1 | °C/W |
| MSR | Prąd lawinowy, pojedynczy impuls, L=0,5mH | 30 | A |
| EAS | Energia lawinowa, pojedynczy impuls, L=0,5mH | 225 | mJ |
| Symbol | Parametr | Warunki | Min. | Typ. | Maks. | Jednostka |
| BVDSS | Napięcie przebicia dren-źródło | VGS=0 V, ID=250uA | 60 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSWspółczynnik temperatury | Odniesienie do 25℃, ID=1 mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS (wł.) | Statyczny opór dren-źródło2 | VGS=10V, ID=40A | --- | 7,0 | 9,0 | mΩ |
| VGS(th) | bramka napięcia progowego | VGS=VDS, ID=250uA | 2.0 | 3.0 | 4,0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Współczynnik temperatury | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Prąd upływu dren-źródło | VDS=48 V, VGS=0 V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48 V, VGS=0 V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Prąd upływu bramki-źródła | VGS=±20 V, VDS=0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| dziewczyna | Transkonduktancja do przodu | VDS=5 V, ID=20A | --- | 50 | --- | S |
| Rg | Opór bramy | VDS=0 V, VGS=0 V, f=1 MHz | --- | 1,0 | --- | Ω |
| Qg | Całkowite obciążenie bramki (10 V) | VDS=30V, VGS=10 V, ID=40A | --- | 48 | --- | nC |
| Qgs | Ładunek bramy-źródła | --- | 17 | --- | ||
| Qgd | Ładunek Bramowo-Drenujący | --- | 12 | --- | ||
| Td(wł.) | Czas opóźnienia włączenia | VDD=30V, VGEN=10V, RG=1Ω, ID=1A,RL=15Ω. | --- | 16 | --- | ns |
| Tr | Czas narastania | --- | 10 | --- | ||
| Td (wyłączone) | Czas opóźnienia wyłączenia | --- | 40 | --- | ||
| Tf | Czas jesienny | --- | 35 | --- | ||
| Cjest | Pojemność wejściowa | VDS=30V, VGS=0 V, f=1 MHz | --- | 2680 | --- | pF |
| Koss | Pojemność wyjściowa | --- | 386 | --- | ||
| Crss | Odwrotna pojemność transferu | --- | 160 | --- |
