WSD6060DN56 N-kanałowy 60 V 65 A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK

WSD6060DN56 N-kanałowy 60 V 65 A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET Wyróżniony obraz

krótki opis:

Numer części:WSD6060DN56

BVDSS:60 V

ID:65A

RDSON:7,5 mΩ

Kanał:Kanał N

Pakiet:DFN5X6-8

Wyślij e-mail do nas PDF

Szczegóły produktu

Aplikacja

Tagi produktów

Przegląd produktów WINSOK MOSFET

Napięcie MOSFET-u WSD6060DN56 wynosi 60 V, prąd wynosi 65 A, rezystancja 7,5 mΩ, kanał jest kanałem N, a opakowanie to DFN5X6-8.

Obszary zastosowań WINSOK MOSFET

E-papierosy MOSFET, bezprzewodowe ładowanie MOSFET, silniki MOSFET, drony MOSFET, opieka medyczna MOSFET, ładowarki samochodowe MOSFET, sterowniki MOSFET, produkty cyfrowe MOSFET, drobne AGD MOSFET, elektronika użytkowa MOSFET.

WINSOK MOSFET odpowiada numerom materiałów innych marek

STMicroelectronics MOSFET STL5DN6F7.PANJIT MOSFET PSMQC73N6NS1.POTENS Półprzewodnikowy MOSFET PDC696X.

Parametry MOSFET-a

Symbol	Parametr		Ocena	Jednostka
Wspólne oceny
VDSS	Napięcie dren-źródło		60	V
VGSS	Napięcie bramka-źródło		±20	V
T_J	Maksymalna temperatura złącza		150	°C
TSTG	Zakres temperatur przechowywania		-55 do 150	°C
I_S	Ciągły prąd przewodzenia diody	T_c=25°C	30	A
ID	Ciągły prąd drenu	T_c=25°C	65	A
ID	Ciągły prąd drenu	T_c=70°C	42	A
DM b	Testowany prąd pulsacyjny	T_c=25°C	250	A
P_D	Maksymalne rozproszenie mocy	T_c=25°C	62,5	W
P_D	Maksymalne rozproszenie mocy	T_C=70°C	38	W
R_qJL	Połączenie oporu cieplnego z ołowiem	Stan stały	2.1	°C/W
RqJA	Połączenie oporu cieplnego z otoczeniem	t £ 10 s	45	°C/W
RqJA	Połączenie oporu cieplnego z otoczeniem	Stan stały^b	50	°C/W
JA JAK^d	Prąd lawinowy, pojedynczy impuls	L=0,5mH	18	A
E AS re	Energia lawinowa, pojedynczy impuls	L=0,5mH	81	mJ

Symbol	Parametr	Warunki testu		Min.	Typ.	Maks.	Jednostka
Charakterystyka statyczna
BV_DSS	Napięcie przebicia dren-źródło	V_GS=0 V, I_DS=250mA		60	-	-	V
IDSS	Prąd drenu napięcia bramki zerowej	V_DS=48 V, V_GS=0 V		-	-	1	mA
IDSS	Prąd drenu napięcia bramki zerowej						mA
			T_J=85°C	-	-	30
VGS(th)	Napięcie progowe bramki	V_DS=V_GS, I_DS=250mA		1.2	1,5	2.5	V
IGSS	Prąd upływu bramki	V_GS=±20 V, V_DS=0 V		-	-	±100	nA
R DS(WŁ.) 3	Rezystancja w stanie włączenia dren-źródło	V_GS=10 V, I_DS=20A		-	7,5	10	m W
R DS(WŁ.) 3	Rezystancja w stanie włączenia dren-źródło	V_GS=4,5 V, I_DS=15 A		-	10	15	m W
Charakterystyka diody
V SD	Napięcie przewodzenia diody	I_SD=1A, V_GS=0 V		-	0,75	1.2	V
t_rr	Odwróć czas odzyskiwania	I_SD=20A, dł_SD/dt=100A/µs		-	42	-	ns
Q_rr	Odwrotne obciążenie regeneracyjne	I_SD=20A, dł_SD/dt=100A/µs		-	36	-	nC
Charakterystyka dynamiczna^3,4
R_G	Opór bramy	V_GS=0 V, V_DS= 0 V, F = 1 MHz		-	1,5	-	W
C_jest	Pojemność wejściowa	V_GS= 0 V, V_DS=30 V, F=1,0 MHz Ω		-	1340	-	pF
C_os	Pojemność wyjściowa			-	270	-
C_rss	Odwrotna pojemność transferu			-	40	-
td(WŁ.)	Czas opóźnienia włączenia	VDD=30V, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6Ω.		-	15	-	ns
t_r	Włącz czas narastania			-	6	-
td (WYŁ.)	Czas opóźnienia wyłączenia			-	33	-
t_f	Wyłącz czas jesienny			-	30	-
Charakterystyka ładunku bramki ^3,4
Q_g	Całkowita opłata za bramę	V_DS=30 V, V_GS=4,5 V, I_DS=20A		-	13	-	nC
Q_g	Całkowita opłata za bramę	V_DS=30 V, V_GS=10 V, I_DS=20A		-	27	-
Q_gt	Opłata za bramę progową			-	4.1	-
Q_gs	Ładunek bramy-źródła			-	5	-
Q_gd	Ładunek Bramowo-Drenujący			-	4.2	-