WSD6040DN56 N-kanałowy 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Przegląd produktów WINSOK MOSFET
Napięcie MOSFET WSD6040DN56 wynosi 60 V, prąd wynosi 36 A, rezystancja 14 mΩ, kanał jest kanałem N, a opakowanie to DFN5X6-8.
Obszary zastosowań WINSOK MOSFET
E-papierosy MOSFET, bezprzewodowe ładowanie MOSFET, silniki MOSFET, drony MOSFET, opieka medyczna MOSFET, ładowarki samochodowe MOSFET, sterowniki MOSFET, produkty cyfrowe MOSFET, drobne AGD MOSFET, elektronika użytkowa MOSFET.
WINSOK MOSFET odpowiada numerom materiałów innych marek
MOSFET AOS AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL8DN6LF6AG.PANJIT MOSFET PSMQC12N6LS1.POTENS Półprzewodnikowy MOSFET PDC6964X.
Parametry MOSFET-a
| Symbol | Parametr | Ocena | Jednostki | ||
| VDS | Napięcie dren-źródło | 60 | V | ||
| VGS | Napięcie bramka-źródło | ±20 | V | ||
| ID | Ciągły prąd drenu | Temperatura cieplna=25°C | 36 | A | |
| TC=100°C | 22 | ||||
| ID | Ciągły prąd drenu | TA=25°C | 8.4 | A | |
| TA=100°C | 6.8 | ||||
| IDMa | Impulsowy prąd drenu | Temperatura cieplna=25°C | 140 | A | |
| PD | Maksymalne rozproszenie mocy | Temperatura cieplna=25°C | 37,8 | W | |
| TC=100°C | 15.1 | ||||
| PD | Maksymalne rozproszenie mocy | TA=25°C | 2.08 | W | |
| TA=70°C | 1,33 | ||||
| IAS c | Prąd lawinowy, pojedynczy impuls | L=0,5mH | 16 | A | |
| ŁADc | Energia lawinowa z pojedynczym impulsem | L=0,5mH | 64 | mJ | |
| IS | Ciągły prąd przewodzenia diody | Temperatura cieplna=25°C | 18 | A | |
| TJ | Maksymalna temperatura złącza | 150 | ℃ | ||
| TSTG | Zakres temperatur przechowywania | -55 do 150 | ℃ | ||
| RθJAb | Opór cieplny Połączenie z otoczeniem | Stan stabilny | 60 | ℃/W | |
| RθJC | Połączenie oporu cieplnego z obudową | Stan stabilny | 3.3 | ℃/W | |
| Symbol | Parametr | Warunki | Min. | Typ. | Maks. | Jednostka | |
| Statyczny | |||||||
| V(BR)DSS | Napięcie przebicia dren-źródło | VGS = 0 V, ID = 250 μA | 60 | V | |||
| IDSS | Prąd drenu napięcia bramki zerowej | VDS = 48 V, VGS = 0 V | 1 | µA | |||
| TJ=85°C | 30 | ||||||
| IGSS | Prąd upływu bramki | VGS = ±20 V, VDS = 0 V | ±100 | nA | |||
| O Charakterystyce | |||||||
| VGS(TH) | bramka napięcia progowego | VGS = VDS, IDS = 250µA | 1 | 1.6 | 2.5 | V | |
| RDS (wł.)d | Rezystancja w stanie włączenia dren-źródło | VGS = 10 V, ID = 25 A | 14 | 17,5 | mΩ | ||
| VGS = 4,5 V, ID = 20 A | 19 | 22 | mΩ | ||||
| Przełączanie | |||||||
| Qg | Całkowita opłata za bramę | VDS=30V VGS=10V ID=25A | 42 | nC | |||
| Qgs | Brama-kwaśny ładunek | 6.4 | nC | ||||
| Qgd | Ładunek Bramowo-Drenujący | 9.6 | nC | ||||
| td (wł.) | Czas opóźnienia włączenia | VGEN=10V VDD=30V ID=1A RG=6Ω RL=30Ω | 17 | ns | |||
| tr | Włącz czas narastania | 9 | ns | ||||
| td (wyłączone) | Czas opóźnienia wyłączenia | 58 | ns | ||||
| tf | Wyłącz czas jesienny | 14 | ns | ||||
| Rg | Odporność Gata | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | 1,5 | Ω | |||
| Dynamiczny | |||||||
| Ciss | W pojemności | VGS=0V VDS=30V f=1MHz | 2100 | pF | |||
| Koss | Pojemność wyjściowa | 140 | pF | ||||
| Krzyś | Odwrotna pojemność transferu | 100 | pF | ||||
| Charakterystyka diody dren-źródło i maksymalne wartości znamionowe | |||||||
| IS | Ciągły prąd źródłowy | VG=VD=0V, siła prądu | 18 | A | |||
| IZM | Impulsowy prąd źródła3 | 35 | A | ||||
| VSDd | Napięcie przewodzenia diody | ISD = 20A, VGS=0V | 0,8 | 1.3 | V | ||
| tr | Odwróć czas odzyskiwania | ISD=25A, dłSD/dt=100A/µs | 27 | ns | |||
| Qrr | Odwrotna opłata regeneracyjna | 33 | nC | ||||
