WSD50P10DN56 WSD50P10ADN56 Kanał P -100V -34A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK

WSD50P10DN56 WSD50P10ADN56 Kanał P -100 V -34 A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET Wyróżniony obraz

krótki opis:

Numer części:WSD50P10DN56 WSD50P10ADN56

BVDSS:-100 V

ID:-34A

RDSON:32 mΩ

Kanał:Kanał P

Pakiet:DFN5X6-8

Wyślij e-mail do nas PDF

Szczegóły produktu

Aplikacja

Tagi produktów

Przegląd produktów WINSOK MOSFET

Napięcie MOSFET WSD50P10DN56 WSD50P10ADN56 wynosi -100 V, prąd wynosi -34 A, rezystancja wynosi 32 mΩ, kanał jest kanałem P, a opakowanie to DFN5X6-8.

Obszary zastosowań WINSOK MOSFET

MOSFET do e-papierosów, MOSFET do bezprzewodowego ładowania, MOSFET silnikowy, MOSFET dronowy, MOSFET medyczny, MOSFET ładowarki samochodowej, MOSFET kontrolera, MOSFET produktu cyfrowego, MOSFET małego sprzętu AGD, MOSFET elektroniki użytkowej.

WINSOK MOSFET odpowiada numerom materiałów innych marek

MOSFET Sinopower SM1A33PSKP.

MOSFET VISHAY Si7489DP.

Parametry MOSFET-a

Numer części	Konfiguracja	Typ	VDS	VGS	Identyfikator (A)	RDS(WŁ.)(mΩ)						RDS(WŁ.)(mΩ)				Ciss	Pakiet
			VDS	VGS	Identyfikator (A)	@10V		@6V		@4,5 V		@2,5 V		@1,8 V		Ciss
			(W)	±(V)	Maks.	Typ.	Maks.	Typ.	Maks.	Typ.	Maks.	Typ.	Maks.	Typ.	Maks.	(pF)

WSD50P10DN56	Pojedynczy	P-Ch	-100	20	-34	32	40	-	-	38	51	-	-	-	-	2480	DFN5X6-8
WSD50P10ADN56	Pojedynczy	P-Ch	-100	20	-40	62	81	-	-	-	-	-	-	-	-	2590	DFN5X6-8