WSD45N10GDN56 N-kanałowy 100 V 45 A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Przegląd produktów WINSOK MOSFET
Napięcie tranzystora MOSFET WSD45N10GDN56 wynosi 100 V, prąd wynosi 45 A, rezystancja 14,5 mΩ, kanał jest kanałem N, a opakowanie to DFN5X6-8.
Obszary zastosowań WINSOK MOSFET
E-papierosy MOSFET, bezprzewodowe ładowanie MOSFET, silniki MOSFET, drony MOSFET, opieka medyczna MOSFET, ładowarki samochodowe MOSFET, sterowniki MOSFET, produkty cyfrowe MOSFET, drobne AGD MOSFET, elektronika użytkowa MOSFET.
WINSOK MOSFET odpowiada numerom materiałów innych marek
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PJQ5476AL.POTENS Półprzewodnikowy MOSFET PDC966X.
Parametry MOSFET-a
| Symbol | Parametr | Ocena | Jednostki |
| VDS | Napięcie dren-źródło | 100 | V |
| VGS | Brama Sournapięcie ce | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Ciągły prąd drenu, VGS@ 10 V | 45 | A |
| ID@TC=100℃ | Ciągły prąd drenu, VGS@ 10 V | 33 | A |
| ID@TA=25℃ | Ciągły prąd drenu, VGS@ 10 V | 12 | A |
| ID@TA=70℃ | Ciągły prąd drenu, VGS@ 10 V | 9.6 | A |
| IDM | Impulsowy prąd drenu | 130 | A |
| EASb | Energia lawinowa z pojedynczym impulsem | 169 | mJ |
| MSRb | Prąd lawinowy | 26 | A |
| PD@TC=25℃ | Całkowite rozproszenie mocy | 95 | W |
| PD@TA=25℃ | Całkowite rozproszenie mocy | 5,0 | W |
| TSTG | Zakres temperatur przechowywania | -55 do 150 | ℃ |
| TJ | Zakres temperatury złącza roboczego | -55 do 150 | ℃ |
| Symbol | Parametr | Warunki | Min. | Typ. | Maks. | Jednostka |
| BVDSS | Napięcie przebicia dren-źródło | VGS=0 V, ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Współczynnik temperaturowy BVDSS | Odniesienie do 25℃, ID=1 mA | --- | 0,0 | --- | V/℃ |
| RDS (wł.)d | Statyczny opór dren-źródło2 | VGS=10 V, ID=26A | --- | 14,5 | 17,5 | mΩ |
| VGS(th) | bramka napięcia progowego | VGS=VDS, ID=250uA | 2.0 | 3.0 | 4,0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Współczynnik temperatury | --- | -5 | mV/℃ | ||
| IDSS | Prąd upływu dren-źródło | VDS=80V, VGS=0 V, TJ=25℃ | --- | - | 1 | uA |
| VDS=80V, VGS=0 V, TJ=55℃ | --- | - | 30 | |||
| IGSS | Prąd upływu bramki-źródła | VGS=±20 V, VDS=0 V | --- | - | ±100 | nA |
| Rge | Opór bramy | VDS=0 V, VGS=0 V, f=1 MHz | --- | 1,0 | --- | Ω |
| Qge | Całkowite obciążenie bramki (10 V) | VDS=50V, VGS=10 V, ID=26A | --- | 42 | 59 | nC |
| Qgse | Ładunek bramy-źródła | --- | 12 | -- | ||
| Qgde | Ładunek Bramowo-Drenujący | --- | 12 | --- | ||
| Td(wł.)e | Czas opóźnienia włączenia | VDD=30V, VGEN=10V, RG=6Ω ID=1A,RL=30Ω | --- | 19 | 35 | ns |
| Tre | Czas narastania | --- | 9 | 17 | ||
| Td (wyłączone)e | Czas opóźnienia wyłączenia | --- | 36 | 65 | ||
| Tfe | Czas jesienny | --- | 22 | 40 | ||
| Cisse | Pojemność wejściowa | VDS=30V, VGS=0 V, f=1 MHz | --- | 1800 | --- | pF |
| Cosse | Pojemność wyjściowa | --- | 215 | --- | ||
| Crsse | Odwrotna pojemność transferu | --- | 42 | --- |
