WSD4098 Podwójny kanał N 40 V 22 A DFN5*6-8 MOSFET WINSOK
Opis ogólny
WSD4098DN56 to dwukanałowy MOSFET typu Trench o najwyższej wydajności z ekstremalnie dużą gęstością ogniw, który zapewnia doskonały współczynnik RDSON i ładunek bramki w większości zastosowań synchronicznych konwerterów buck. WSD4098DN56 spełnia wymagania RoHS i produktów ekologicznych. 100% gwarancji EAS z zatwierdzoną pełną niezawodnością działania.
Cechy
Zaawansowana technologia wykopów o dużej gęstości ogniw, bardzo niskie ładowanie bramki, doskonały spadek efektu CdV/dt, 100% gwarancja EAS, dostępne ekologiczne urządzenie
Aplikacje
Synchroniczny punkt obciążenia wysokiej częstotliwości, konwerter buck dla MB/NB/UMPC/VGA, sieciowy system zasilania DC-DC, przełącznik obciążenia, e-papierosy, ładowanie bezprzewodowe, silniki, drony, opieka medyczna, ładowarki samochodowe, kontrolery, urządzenia cyfrowe produktów, drobnego sprzętu AGD, elektroniki użytkowej.
odpowiedni numer materiału
AOS AON6884
Ważne parametry
| Symbol | Parametr | Ocena | Jednostka | |
| Wspólne oceny | ||||
| VDSS | Napięcie dren-źródło | 40 | V | |
| VGSS | Napięcie bramka-źródło | ±20 | V | |
| TJ | Maksymalna temperatura złącza | 150 | °C | |
| TSTG | Zakres temperatur przechowywania | -55 do 150 | °C | |
| IS | Ciągły prąd przewodzenia diody | TA=25°C | 11.4 | A |
| ID | Ciągły prąd drenu | TA=25°C | 22 | A |
| TA=70°C | 22 | |||
| DM b | Testowany prąd pulsacyjny | TA=25°C | 88 | A |
| PD | Maksymalne rozproszenie mocy | T. =25°C | 25 | W |
| Temperatura cieplna=70°C | 10 | |||
| RqJL | Połączenie oporu cieplnego z ołowiem | Stan stały | 5 | °C/W |
| RqJA | Połączenie oporu cieplnego z otoczeniem | 10 funtów | 45 | °C/W |
| Stan ustalony b | 90 | |||
| JA JAK D | Prąd lawinowy, pojedynczy impuls | L=0,5mH | 28 | A |
| E AS re | Energia lawinowa, pojedynczy impuls | L=0,5mH | 39.2 | mJ |
| Symbol | Parametr | Warunki testu | Min. | Typ. | Maks. | Jednostka | |
| Charakterystyka statyczna | |||||||
| BVDSS | Napięcie przebicia dren-źródło | VGS=0V, IDS=250mA | 40 | - | - | V | |
| IDSS | Prąd drenu napięcia bramki zerowej | VDS=32V, VGS=0V | - | - | 1 | mA | |
| TJ=85°C | - | - | 30 | ||||
| VGS(th) | Napięcie progowe bramki | VDS=VGS, IDS=250mA | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V | |
| IGSS | Prąd upływu bramki | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA | |
| R DS(WŁ.) e | Rezystancja w stanie włączenia dren-źródło | VGS=10V, IDS=14A | - | 6.8 | 7.8 | m W | |
| VGS=4,5V, IDS=12A | - | 9,0 | 11 | ||||
| Charakterystyka diody | |||||||
| V SD mi | Napięcie przewodzenia diody | ISD=1A, VGS=0V | - | 0,75 | 1.1 | V | |
| tr | Odwróć czas odzyskiwania | ISD=20A, dlSD /dt=100A/µs | - | 23 | - | ns | |
| Qrr | Odwrotne obciążenie regeneracyjne | - | 13 | - | nC | ||
| Charakterystyka dynamiczna f | |||||||
| RG | Opór bramy | VGS=0 V, VDS=0 V, F=1 MHz | - | 2.5 | - | W | |
| Ciss | Pojemność wejściowa | VGS=0V, VDS=20V, Częstotliwość=1,0 MHz | - | 1370 | 1781 | pF | |
| Koss | Pojemność wyjściowa | - | 317 | - | |||
| Krzyś | Odwrotna pojemność transferu | - | 96 | - | |||
| td(WŁ.) | Czas opóźnienia włączenia | VDD = 20 V, RL=20W, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6W | - | 13.8 | - | ns | |
| tr | Włącz czas narastania | - | 8 | - | |||
| td (WYŁ.) | Czas opóźnienia wyłączenia | - | 30 | - | |||
| tf | Wyłącz czas jesienny | - | 21 | - | |||
| Charakterystyka ładunku bramki f | |||||||
| Qg | Całkowita opłata za bramę | VDS=20V, VGS=10V, IDS=6A | - | 23 | 28 | nC | |
| Qg | Całkowita opłata za bramę | VDS=20V, VGS=4,5V, IDS=6A | - | 22 | - | ||
| Qgth | Opłata za bramę progową | - | 2.6 | - | |||
| Qgs | Ładunek bramy-źródła | - | 4.7 | - | |||
| Qgd | Ładunek Bramowo-Drenujący | - | 3 | - | |||
