WSD4076DN56 N-kanałowy 40V 76A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Przegląd produktów WINSOK MOSFET
Napięcie MOSFET WSD4076DN56 wynosi 40 V, prąd wynosi 76 A, rezystancja 6,9 mΩ, kanał jest kanałem N, a opakowanie to DFN5X6-8.
Obszary zastosowań WINSOK MOSFET
Małe urządzenia MOSFET, urządzenia ręczne MOSFET, silniki MOSFET.
WINSOK MOSFET odpowiada numerom materiałów innych marek
STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG, STL64DN4F7AG, STL64N4F7AG.
MOSFET PANJIT PJQ5442.
MOSFET Półprzewodnikowy MOSFET PDC496X.
Parametry MOSFET-a
| Symbol | Parametr | Ocena | Jednostki |
| VDS | Napięcie dren-źródło | 40 | V |
| VGS | Brama Sournapięcie ce | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Ciągły prąd drenu, VGS@ 10 V | 76 | A |
| ID@TC=100℃ | Ciągły prąd drenu, VGS@ 10 V | 33 | A |
| IDM | Impulsowy prąd drenua | 125 | A |
| ŁAD | Energia lawinowa z pojedynczym impulsemb | 31 | mJ |
| MSR | Prąd lawinowy | 31 | A |
| PD@Ta=25℃ | Całkowite rozproszenie mocy | 1.7 | W |
| TSTG | Zakres temperatur przechowywania | -55 do 150 | ℃ |
| TJ | Zakres temperatury złącza roboczego | -55 do 150 | ℃ |
| Symbol | Parametr | Warunki | Min. | Typ. | Maks. | Jednostka |
| BVDSS | Napięcie przebicia dren-źródło | VGS=0 V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSWspółczynnik temperatury | Odniesienie do 25℃, ID=1 mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS (wł.) | Statyczny opór dren-źródło2 | VGS=10V, ID=12A | --- | 6.9 | 8,5 | mΩ |
| RDS (wł.) | Statyczny opór dren-źródło2 | VGS=4,5V, ID=10A | --- | 10 | 15 | mΩ |
| VGS(th) | bramka napięcia progowego | VGS=VDS, ID=250uA | 1,5 | 1.6 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Współczynnik temperatury | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Prąd upływu dren-źródło | VDS=32V, VGS=0 V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=32V, VGS=0 V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Prąd upływu bramki-źródła | VGS=±20 V, VDS=0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| dziewczyna | Transkonduktancja do przodu | VDS=5 V, ID=20A | --- | 18 | --- | S |
| Rg | Opór bramy | VDS=0 V, VGS=0 V, f=1 MHz | --- | 1.7 | --- | Ω |
| Qg | Całkowite obciążenie bramki (10 V) | VDS=20V, VGS=4,5 V, ID=12A | --- | 5.8 | --- | nC |
| Qgs | Ładunek bramy-źródła | --- | 3.0 | --- | ||
| Qgd | Ładunek Bramowo-Drenujący | --- | 1.2 | --- | ||
| Td(wł.) | Czas opóźnienia włączenia | VDD=15 V, VGEN=10V, RG=3,3Ω, ID=1A. | --- | 12 | --- | ns |
| Tr | Czas narastania | --- | 5.6 | --- | ||
| Td (wyłączone) | Czas opóźnienia wyłączenia | --- | 20 | --- | ||
| Tf | Czas jesienny | --- | 11 | --- | ||
| Cjest | Pojemność wejściowa | VDS=15 V, VGS=0 V, f=1 MHz | --- | 680 | --- | pF |
| Koss | Pojemność wyjściowa | --- | 185 | --- | ||
| Crss | Odwrotna pojemność transferu | --- | 38 | --- |
