WSD4018DN22 Kanał P -40V -18A DFN2X2-6L MOSFET WINSOK
Przegląd produktów WINSOK MOSFET
Napięcie MOSFET WSD4018DN22 wynosi -40 V, prąd wynosi -18 A, rezystancja 26 mΩ, kanał to kanał P, a opakowanie to DFN2X2-6L.
Obszary zastosowań WINSOK MOSFET
Zaawansowana technologia wykopów o dużej gęstości ogniw, bardzo niski poziom naładowania bramki, doskonały spadek efektu Cdv/dt Dostępne zielone urządzenia, sprzęt do rozpoznawania twarzy MOSFET, MOSFET e-papierosów, MOSFET małych urządzeń gospodarstwa domowego, MOSFET ładowarki samochodowej.
WINSOK MOSFET odpowiada numerom materiałów innych marek
MOSFET AOS AON2409, MOSFET MOSFET PDB3909L
Parametry MOSFET-a
| Symbol | Parametr | Ocena | Jednostki |
| VDS | Napięcie dren-źródło | -40 | V |
| VGS | Napięcie bramka-źródło | ±20 | V |
| ID@Tc= 25 ℃ | Ciągły prąd drenu, VGS@ -10 V1 | -18 | A |
| ID@Tc= 70 ℃ | Ciągły prąd drenu, VGS@ -10 V1 | -14,6 | A |
| IDM | Impulsowy prąd drenu 300μS, VGS=-4,5 V2 | 54 | A |
| PD@Tc= 25 ℃ | Całkowite rozproszenie mocy3 | 19 | W |
| TSTG | Zakres temperatur przechowywania | -55 do 150 | ℃ |
| TJ | Zakres temperatury złącza roboczego | -55 do 150 | ℃ |
Charakterystyka elektryczna (TJ=25 ℃, chyba że zaznaczono inaczej)
| Symbol | Parametr | Warunki | Min. | Typ. | Maks. | Jednostka |
| BVDSS | Napięcie przebicia dren-źródło | VGS=0 V, ID=-250uA | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Współczynnik temperaturowy BVDSS | Odniesienie do 25 ℃, ID=-1mA | --- | -0,01 | --- | V/℃ |
| RDS (wł.) | Statyczny opór dren-źródło2 | VGS=-10 V, ID=-8,0A | --- | 26 | 34 | mΩ |
| VGS=-4,5 V, ID=-6,0A | --- | 31 | 42 | |||
| VGS(th) | Napięcie progowe bramki | VGS=VDS, ID=-250uA | -1,0 | -1,5 | -3,0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Współczynnik temperaturowy | --- | 3.13 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Prąd upływu dren-źródło | VDS=-40V, VGS=0 V, TJ= 25 ℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-40V, VGS=0 V, TJ= 55 ℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Prąd upływu bramki-źródła | VGS=±20V, VDS=0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Całkowity poziom naładowania bramki (-4,5 V) | VDS=-20V, VGS=-10 V, ID=-1,5A | --- | 27 | --- | nC |
| Qgs | Ładunek bramy-źródła | --- | 2.5 | --- | ||
| Qgd | Ładunek Bramowo-Drenujący | --- | 6.7 | --- | ||
| Td(wł.) | Czas opóźnienia włączenia | VDD=-20V, VGS=-10V,RG=3Ω, RL=10Ω | --- | 9,8 | --- | ns |
| Tr | Czas narastania | --- | 11 | --- | ||
| Td (wyłączone) | Czas opóźnienia wyłączenia | --- | 54 | --- | ||
| Tf | Czas jesienny | --- | 7.1 | --- | ||
| Cjest | Pojemność wejściowa | VDS=-20V, VGS=0 V, f=1 MHz | --- | 1560 | --- | pF |
| Koss | Pojemność wyjściowa | --- | 116 | --- | ||
| Crss | Odwrotna pojemność transferu | --- | 97 | --- |
