WSD40120DN56 N-kanałowy 40V 120A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Przegląd produktów WINSOK MOSFET
Napięcie MOSFET WSD40120DN56 wynosi 40 V, prąd wynosi 120 A, rezystancja 1,85 mΩ, kanał jest kanałem N, a opakowanie to DFN5X6-8.
Obszary zastosowań WINSOK MOSFET
E-papierosy MOSFET, bezprzewodowe ładowanie MOSFET, drony MOSFET, opieka medyczna MOSFET, ładowarki samochodowe MOSFET, sterowniki MOSFET, produkty cyfrowe MOSFET, drobne AGD MOSFET, elektronika użytkowa MOSFET.
WINSOK MOSFET odpowiada numerom materiałów innych marek
AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS5C442NL.VISHAY MOSFET SiRA52ADP,SiJA52ADP.STMicroelectronics MOSFET STL12N4LF6AG.NXP MOSFET PH484S.TOSHIBA MOSFET TPH1R14PB.PANJIT MO SFET PJQ544.NIKO-SEM MOSFET PKCSBB.POTENS Półprzewodnikowy MOSFET PDC496X.
Parametry MOSFET-a
| Symbol | Parametr | Ocena | Jednostki |
| VDS | Napięcie dren-źródło | 40 | V |
| VGS | Brama Sournapięcie ce | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Ciągły prąd drenu, VGS@ 10 V1,7 | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Ciągły prąd drenu, VGS@ 10 V1,7 | 100 | A |
| IDM | Impulsowy prąd drenu2 | 400 | A |
| ŁAD | Energia lawinowa z pojedynczym impulsem3 | 240 | mJ |
| MSR | Prąd lawinowy | 31 | A |
| PD@TC=25℃ | Całkowite rozproszenie mocy4 | 104 | W |
| TSTG | Zakres temperatur przechowywania | -55 do 150 | ℃ |
| TJ | Zakres temperatury złącza roboczego | -55 do 150 | ℃ |
| Symbol | Parametr | Warunki | Min. | Typ. | Maks. | Jednostka |
| BVDSS | Napięcie przebicia dren-źródło | VGS=0 V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSWspółczynnik temperatury | Odniesienie do 25℃, ID=1 mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS (wł.) | Statyczny opór dren-źródło2 | VGS=10V, ID=30A | --- | 1,85 | 2.4 | mΩ |
| RDS (wł.) | Statyczny opór dren-źródło2 | VGS=4,5V, ID=20A | --- | 2.5 | 3.3 | mΩ |
| VGS(th) | bramka napięcia progowego | VGS=VDS, ID=250uA | 1,5 | 1.8 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Współczynnik temperatury | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Prąd upływu dren-źródło | VDS=32V, VGS=0 V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=32V, VGS=0 V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Prąd upływu bramki-źródła | VGS=±20 V, VDS=0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| dziewczyna | Transkonduktancja do przodu | VDS=5 V, ID=20A | --- | 55 | --- | S |
| Rg | Opór bramy | VDS=0 V, VGS=0 V, f=1 MHz | --- | 1.1 | 2 | Ω |
| Qg | Całkowite obciążenie bramki (10 V) | VDS=20V, VGS=10 V, ID=10A | --- | 76 | 91 | nC |
| Qgs | Ładunek bramy-źródła | --- | 12 | 14.4 | ||
| Qgd | Ładunek Bramowo-Drenujący | --- | 15,5 | 18.6 | ||
| Td(wł.) | Czas opóźnienia włączenia | VDD=30V, VGEN=10V, RG=1Ω, ID=1A,RL=15Ω. | --- | 20 | 24 | ns |
| Tr | Czas narastania | --- | 10 | 12 | ||
| Td (wyłączone) | Czas opóźnienia wyłączenia | --- | 58 | 69 | ||
| Tf | Czas jesienny | --- | 34 | 40 | ||
| Cjest | Pojemność wejściowa | VDS=20V, VGS=0 V, f=1 MHz | --- | 4350 | --- | pF |
| Koss | Pojemność wyjściowa | --- | 690 | --- | ||
| Crss | Odwrotna pojemność transferu | --- | 370 | --- |
