WSD30160DN56 N-kanałowy 30 V 120 A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Przegląd produktów WINSOK MOSFET
Napięcie MOSFET-a WSD30160DN56 wynosi 30 V, prąd wynosi 120 A, rezystancja 1,9 mΩ, kanał jest kanałem N, a opakowanie to DFN5X6-8.
Obszary zastosowań WINSOK MOSFET
E-papierosy MOSFET, bezprzewodowe ładowanie MOSFET, drony MOSFET, opieka medyczna MOSFET, ładowarki samochodowe MOSFET, sterowniki MOSFET, produkty cyfrowe MOSFET, drobne AGD MOSFET, elektronika użytkowa MOSFET.
WINSOK MOSFET odpowiada numerom materiałów innych marek
MOSFET AOS AON6382,AON6384,AON644A,AON6548.
Onsemi, MOSFET FAIRCHILD NTMFS4834N, NTMFS4C5N.
MOSFET TOSHIBY TPH2R93PL.
MOSFET PANJIT PJQ5426.
MOSFET NIKO-SEM PKE1BB.
MOSFET Półprzewodnikowy MOSFET PDC392X.
Parametry MOSFET-a
| Symbol | Parametr | Ocena | Jednostki |
| VDS | Napięcie dren-źródło | 30 | V |
| VGS | Brama Sournapięcie ce | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Ciągły prąd drenu, VGS@ 10 V1,7 | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Ciągły prąd drenu, VGS@ 10 V1,7 | 68 | A |
| IDM | Impulsowy prąd drenu2 | 300 | A |
| ŁAD | Energia lawinowa z pojedynczym impulsem3 | 128 | mJ |
| MSR | Prąd lawinowy | 50 | A |
| PD@TC=25℃ | Całkowite rozproszenie mocy4 | 62,5 | W |
| TSTG | Zakres temperatur przechowywania | -55 do 150 | ℃ |
| TJ | Zakres temperatury złącza roboczego | -55 do 150 | ℃ |
| Symbol | Parametr | Warunki | Min. | Typ. | Maks. | Jednostka |
| BVDSS | Napięcie przebicia dren-źródło | VGS=0 V, ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSWspółczynnik temperaturowy | Odniesienie do 25℃, ID=1 mA | --- | 0,02 | --- | V/℃ |
| RDS (wł.) | Statyczny opór dren-źródło2 | VGS=10 V, ID=20A | --- | 1.9 | 2.5 | mΩ |
| VGS=4,5 V, ID=15A | --- | 2.9 | 3.5 | |||
| VGS(th) | Napięcie progowe bramki | VGS=VDS, ID=250uA | 1.2 | 1.7 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Współczynnik temperaturowy | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Prąd upływu dren-źródło | VDS=24 V, VGS=0 V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=24 V, VGS=0 V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Prąd upływu bramki-źródła | VGS=±20 V, VDS=0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| dziewczyna | Transkonduktancja do przodu | VDS=5 V, ID=10A | --- | 32 | --- | S |
| Rg | Opór bramy | VDS=0 V, VGS=0 V, f=1 MHz | --- | 0,8 | 1,5 | Ω |
| Qg | Całkowite ładowanie bramki (4,5 V) | VDS=15 V, VGS=4,5 V, ID=20A | --- | 38 | --- | nC |
| Qgs | Ładunek bramy-źródła | --- | 10 | --- | ||
| Qgd | Ładunek Bramowo-Drenujący | --- | 13 | --- | ||
| Td(wł.) | Czas opóźnienia włączenia | VDD=15 V, VGEN=10V, RG=6Ω, ID=1A, RL=15Ω. | --- | 25 | --- | ns |
| Tr | Czas narastania | --- | 23 | --- | ||
| Td (wyłączone) | Czas opóźnienia wyłączenia | --- | 95 | --- | ||
| Tf | Czas jesienny | --- | 40 | --- | ||
| Cjest | Pojemność wejściowa | VDS=15 V, VGS=0 V, f=1 MHz | --- | 4900 | --- | pF |
| Koss | Pojemność wyjściowa | --- | 1180 | --- | ||
| Crss | Odwrotna pojemność transferu | --- | 530 | --- |
