WSD20L120DN56 Kanał P -20V -120A DFN5*6-8 MOSFET WINSOK

WSD20L120DN56 Kanał P -20 V -120 A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET Wyróżniony obraz

krótki opis:

Numer modelu:WSD20L120DN56

BVDSS:-20 V

RDSON:2,1 mΩ

ID:-120A

Kanał:Kanał P

Pakiet:DFN5*6-8

Produkt Letni:MOSFET WSD20L120DN56 działa przy -20 woltach i pobiera prąd o wartości -120 amperów. Ma rezystancję 2,1 miliomów, kanał P i jest dostępny w obudowie DFN5*6-8.

Aplikacje:E-papierosy, ładowarki bezprzewodowe, silniki, drony, sprzęt medyczny, ładowarki samochodowe, kontrolery, urządzenia cyfrowe, małe AGD i elektronika użytkowa.

Wyślij e-mail do nas PDF

Szczegóły produktu

Aplikacja

Tagi produktów

Opis ogólny

WSD20L120DN56 to najwyższej klasy tranzystor MOSFET P-Ch o strukturze komórek o dużej gęstości, zapewniający doskonałe wartości RDSON i ładunek bramki w większości zastosowań synchronicznych konwerterów buck. WSD20L120DN56 spełnia w 100% wymagania EAS dla produktów RoHS i produktów przyjaznych dla środowiska, z atestem pełnej niezawodności.

Cechy

1, Zaawansowana technologia wykopów o dużej gęstości komórek
2, bardzo niskie ładowanie bramki
3, Doskonały spadek efektu CdV/dt
4, 100% gwarancji EAS 5, dostępne zielone urządzenie

Aplikacje

Synchroniczny konwerter buck wysokiej częstotliwości w punkcie obciążenia dla MB/NB/UMPC/VGA, sieciowy system zasilania DC-DC, przełącznik obciążenia, e-papieros, ładowarka bezprzewodowa, silniki, drony, sprzęt medyczny, ładowarka samochodowa, kontroler, produkty cyfrowe, Małe AGD, elektronika użytkowa.

odpowiedni numer materiału

AOS AON6411, NIKO PK5A7BA

Ważne parametry

Symbol	Parametr	Ocena		Jednostki
Symbol	Parametr	10 s	Stan stały	Jednostki
VDS	Napięcie dren-źródło	-20		V
VGS	Napięcie bramka-źródło	±10		V
ID@TC=25℃	Ciągły prąd drenu, VGS @ -10V1	-120		A
ID@TC=100℃	Ciągły prąd drenu, VGS @ -10V1	-69,5		A
ID @ TA = 25 ℃	Ciągły prąd drenu, VGS @ -10V1	-25	-22	A
ID @ TA = 70 ℃	Ciągły prąd drenu, VGS @ -10V1	-24	-18	A
IDM	Impulsowy prąd drenu2	-340		A
ŁAD	Energia lawinowa z pojedynczym impulsem3	300		mJ
MSR	Prąd lawinowy	-36		A
PD @ TC = 25 ℃	Całkowite rozproszenie mocy4	130		W
PD @ TA = 25 ℃	Całkowite rozproszenie mocy4	6.8	6.25	W
TSTG	Zakres temperatur przechowywania	-55 do 150		℃
TJ	Zakres temperatury złącza roboczego	-55 do 150		℃

Symbol	Parametr	Warunki	Min.	Typ.	Maks.	Jednostka
BVDSS	Napięcie przebicia dren-źródło	VGS=0V, ID=-250uA	-20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Współczynnik temperaturowy BVDSS	Odniesienie do 25℃, ID=-1mA	---	-0,0212	---	V/℃
RDS (wł.)	Statyczna rezystancja włączenia drenażu-źródła2	VGS=-4,5V, ID=-20A	---	2.1	2.7	mΩ
RDS (wł.)	Statyczna rezystancja włączenia drenażu-źródła2					mΩ
		VGS=-2,5V, ID=-20A	---	2.8	3.7
VGS(th)	Napięcie progowe bramki	VGS=VDS, ID=-250uA	-0,4	-0,6	-1,0	V
		VGS=VDS, ID=-250uA
△VGS(th)	Współczynnik temperaturowy VGS(th).		---	4.8	---	mV/℃
IDSS	Prąd upływu dren-źródło	VDS=-20V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	-1	uA
IDSS	Prąd upływu dren-źródło					uA
		VDS=-20V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	-6
IGSS	Prąd upływu bramki-źródła	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
dziewczyna	Transkonduktancja do przodu	VDS=-5V, ID=-20A	---	100	---	S
Rg	Opór bramy	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	2	5	Ω
Qg	Całkowity poziom naładowania bramki (-4,5 V)	VDS=-10V, VGS=-4,5V, ID=-20A	---	100	---	nC
Qgs	Ładunek bramy-źródła		---	21	---
Qgd	Ładunek Bramowo-Drenujący		---	32	---
Td(wł.)	Czas opóźnienia włączenia	VDD=-10 V, VGEN=-4,5 V, RG=3Ω ID=-1A,RL=0,5Ω	---	20	---	ns
Tr	Czas narastania		---	50	---
Td (wyłączone)	Czas opóźnienia wyłączenia		---	100	---
Tf	Czas jesienny		---	40	---
Ciss	Pojemność wejściowa	VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz	---	4950	---	pF
Koss	Pojemność wyjściowa		---	380	---
Krzyś	Odwrotna pojemność transferu		---	290	---