WSD20L120DN56 Kanał P -20V -120A DFN5*6-8 MOSFET WINSOK
Ogólny opis
WSD20L120DN56 to najwyższej klasy tranzystor MOSFET P-Ch o strukturze komórkowej o dużej gęstości, zapewniający doskonałe wartości RDSON i ładunek bramki w większości zastosowań synchronicznych konwerterów buck.WSD20L120DN56 spełnia w 100% wymagania EAS dla produktów RoHS i produktów przyjaznych dla środowiska, z atestem pełnej niezawodności.
Cechy
1, Zaawansowana technologia wykopów o dużej gęstości komórek
2, bardzo niskie ładowanie bramki
3, Doskonały spadek efektu CdV/dt
4, 100% gwarancji EAS 5, dostępne zielone urządzenie
Aplikacje
Synchroniczny konwerter buck wysokiej częstotliwości w punkcie obciążenia dla MB/NB/UMPC/VGA, sieciowy system zasilania DC-DC, przełącznik obciążenia, e-papieros, ładowarka bezprzewodowa, silniki, drony, sprzęt medyczny, ładowarka samochodowa, kontroler, produkty cyfrowe, Małe AGD, elektronika użytkowa.
odpowiedni numer materiału
AOS AON6411, NIKO PK5A7BA
Ważne parametry
| Symbol | Parametr | Ocena | Jednostki | |
| 10 s | Stan stabilny | |||
| VDS | Napięcie dren-źródło | -20 | V | |
| VGS | Napięcie bramka-źródło | ±10 | V | |
| ID@TC=25℃ | Ciągły prąd drenu, VGS @ -10V1 | -120 | A | |
| ID@TC=100℃ | Ciągły prąd drenu, VGS @ -10V1 | -69,5 | A | |
| ID @ TA = 25 ℃ | Ciągły prąd drenu, VGS @ -10V1 | -25 | -22 | A |
| ID @ TA = 70 ℃ | Ciągły prąd drenu, VGS @ -10V1 | -24 | -18 | A |
| IDM | Impulsowy prąd drenu2 | -340 | A | |
| ŁAD | Energia lawinowa z pojedynczym impulsem3 | 300 | mJ | |
| MSR | Prąd lawinowy | -36 | A | |
| PD @ TC = 25 ℃ | Całkowite rozproszenie mocy4 | 130 | W | |
| PD @ TA = 25 ℃ | Całkowite rozproszenie mocy4 | 6.8 | 6.25 | W |
| TSTG | Zakres temperatur przechowywania | -55 do 150 | ℃ | |
| TJ | Zakres temperatury złącza roboczego | -55 do 150 | ℃ | |
| Symbol | Parametr | Warunki | Min. | Typ. | Maks. | Jednostka |
| BVDSS | Napięcie przebicia dren-źródło | VGS=0V, ID=-250uA | -20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Współczynnik temperaturowy BVDSS | Odniesienie do 25℃, ID=-1mA | --- | -0,0212 | --- | V/℃ |
| RDS (wł.) | Statyczna rezystancja włączenia drenażu-źródła2 | VGS=-4,5V, ID=-20A | --- | 2.1 | 2.7 | mΩ |
| VGS=-2,5V, ID=-20A | --- | 2.8 | 3.7 | |||
| VGS(th) | bramka napięcia progowego | VGS=VDS, ID=-250uA | -0,4 | -0,6 | -1,0 | V |
| △VGS(th) | Współczynnik temperaturowy VGS(th). | --- | 4.8 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Prąd upływu dren-źródło | VDS=-20V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-20V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | -6 | |||
| IGSS | Prąd upływu bramki-źródła | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| dziewczyna | Transkonduktancja do przodu | VDS=-5V, ID=-20A | --- | 100 | --- | S |
| Rg | Opór bramy | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2 | 5 | Ω |
| Qg | Całkowity poziom naładowania bramki (-4,5 V) | VDS=-10V, VGS=-4,5V, ID=-20A | --- | 100 | --- | nC |
| Qgs | Ładunek bramy-źródła | --- | 21 | --- | ||
| Qgd | Ładunek Bramowo-Drenujący | --- | 32 | --- | ||
| Td(wł.) | Czas opóźnienia włączenia | VDD=-10 V, VGEN=-4,5 V, RG=3Ω ID=-1A,RL=0,5Ω | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | Czas narastania | --- | 50 | --- | ||
| Td (wyłączone) | Czas opóźnienia wyłączenia | --- | 100 | --- | ||
| Tf | Czas jesienny | --- | 40 | --- | ||
| Ciss | Pojemność wejściowa | VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4950 | --- | pF |
| Koss | Pojemność wyjściowa | --- | 380 | --- | ||
| Krzyś | Odwrotna pojemność transferu | --- | 290 | --- |
