WSD20100DN56 N-kanałowy 20V 90A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Przegląd produktów WINSOK MOSFET
Napięcie MOSFET WSD20100DN56 wynosi 20 V, prąd wynosi 90 A, rezystancja 1,6 mΩ, kanał jest kanałem N, a opakowanie to DFN5X6-8.
Obszary zastosowań WINSOK MOSFET
Elektroniczne papierosy MOSFET, drony MOSFET, elektronarzędzia MOSFET, pistolety MOSFET, PD MOSFET, drobne AGD MOSFET.
WINSOK MOSFET odpowiada numerom materiałów innych marek
MOSFET AOS AON6572.
MOSFET Półprzewodnikowy MOSFET PDC394X.
Parametry MOSFET-a
| Symbol | Parametr | Ocena | Jednostki |
| VDS | Napięcie dren-źródło | 20 | V |
| VGS | Napięcie bramka-źródło | ±12 | V |
| ID@TC= 25 ℃ | Ciągły prąd drenu1 | 90 | A |
| ID@TC= 100 ℃ | Ciągły prąd drenu1 | 48 | A |
| IDM | Impulsowy prąd drenu2 | 270 | A |
| ŁAD | Energia lawinowa z pojedynczym impulsem3 | 80 | mJ |
| MSR | Prąd lawinowy | 40 | A |
| PD@TC= 25 ℃ | Całkowite rozproszenie mocy4 | 83 | W |
| TSTG | Zakres temperatur przechowywania | -55 do 150 | ℃ |
| TJ | Zakres temperatury złącza roboczego | -55 do 150 | ℃ |
| RθJA | Opór cieplny Złącze-otoczenie1(t≦10 s) | 20 | ℃/W |
| RθJA | Opór cieplny Złącze-otoczenie1(stan ustalony) | 55 | ℃/W |
| RθJC | Obudowa złącza oporności cieplnej1 | 1,5 | ℃/W |
| Symbol | Parametr | Warunki | Min | Typ | Maks | Jednostka |
| BVDSS | Napięcie przebicia dren-źródło | VGS=0V, ID=250uA | 20 | 23 | --- | V |
| VGS(th) | Napięcie progowe bramki | VGS=VDS, ID=250uA | 0,5 | 0,68 | 1,0 | V |
| RDS (wł.) | Statyczny opór dren-źródło2 | VGS=10V, ID=20A | --- | 1.6 | 2.0 | mΩ |
| RDS (wł.) | Statyczny opór dren-źródło2 | VGS=4,5V, ID=20A | 1.9 | 2.5 | mΩ | |
| RDS (wł.) | Statyczny opór dren-źródło2 | VGS=2,5V, ID=20A | --- | 2.8 | 3.8 | mΩ |
| IDSS | Prąd upływu dren-źródło | VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=16V, VGS=0V, TJ=125℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Prąd upływu bramki-źródła | VGS=±10V, VDS=0V | --- | --- | ±10 | uA |
| Rg | Opór bramy | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.2 | --- | Ω |
| Qg | Całkowite obciążenie bramki (10 V) | VDS=15V, VGS=10V, ID=20A | --- | 77 | --- | nC |
| Qgs | Ładunek bramy-źródła | --- | 8.7 | --- | ||
| Qgd | Ładunek Bramowo-Drenujący | --- | 14 | --- | ||
| Td(wł.) | Czas opóźnienia włączenia | VDD=15V, VGS=10V, RG=3, ID=20A | --- | 10.2 | --- | ns |
| Tr | Czas narastania | --- | 11.7 | --- | ||
| Td (wyłączone) | Czas opóźnienia wyłączenia | --- | 56,4 | --- | ||
| Tf | Czas jesienny | --- | 16.2 | --- | ||
| Ciss | Pojemność wejściowa | VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4307 | --- | pF |
| Koss | Pojemność wyjściowa | --- | 501 | --- | ||
| Krzyś | Odwrotna pojemność transferu | --- | 321 | --- | ||
| IS | Ciągły prąd źródłowy1,5 | VG=VD= 0 V, prąd wymuszony | --- | --- | 50 | A |
| VSD | Napięcie przewodzenia diody2 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1.2 | V |
| tr | Odwróć czas odzyskiwania | IF=20A, di/dt=100A/µs, TJ=25℃ | --- | 22 | --- | nS |
| Qrr | Odwrotne obciążenie regeneracyjne | --- | 72 | --- | nC |
