Nxperian PSMN1R-4ULD POTENS PDC262X N-kanałowe tranzystory MOSFET DFN5X6-8
Przegląd produktów MOSFET
Nxperian MOSFET PSMN1R-4ULD.
MOSFET Półprzewodnikowy MOSFET PDC262X.
odpowiedni numer materiału
Napięcie BVDSS WINSOK WSD25280DN56G FET wynosi 25 V, prąd wynosi 280 A, rezystancja 0,7 mΩ, kanał jest kanałem N, a opakowanie to DFN5X6-8.
Pola aplikacji MOSFET
Synchroniczny punkt obciążenia wysokiej częstotliwości, przetwornica buck, sieciowy system zasilania DC-DC, zastosowanie elektronarzędzi, MOSFET do e-papierosów, MOSFET do bezprzewodowego ładowania, MOSFET do dronów, MOSFET do opieki medycznej, ładowarki samochodowe MOSFET, kontrolery MOSFET, produkty cyfrowe MOSFET, drobne AGD MOSFET, elektronika użytkowa MOSFET.
Napisz tutaj swoją wiadomość i wyślij ją do nas
