Technologia szybkiego ładowania, będąca podstawową częścią nowoczesnego sprzętu elektronicznego, szybko się rozwija i ewoluuje.Kierując się rynkiem szybkiego ładowania, branże takie jak smartfony i pojazdy elektryczne coraz bardziej wymagają szybkich i wydajnych rozwiązań w zakresie ładowania.Innowacje w technologii szybkiego ładowania nie tylko skupiają się na poprawie prędkości ładowania, ale także kładą nacisk na bezpieczeństwo.Patrząc w przyszłość, technologia szybkiego ładowania zostanie połączona z ładowaniem bezprzewodowym i bardziej wydajną technologią akumulatorów, aby osiągnąć skok jakościowy i zapewnić użytkownikom wygodniejsze i przyjazne dla środowiska ładowanie.Oczekuje się, że wraz z rozwojem technologii i ekspansją rynku branża szybkiego ładowania będzie nadal szybko się rozwijać.
Kiedy mówimy o zastosowaniuMOSFETw technologii szybkiego ładowania faktycznie jest kilka problemów.
Po pierwsze, szybkie ładowanie wymaga dużego prąduMOSFETbędzie się bardzo nagrzewać, a sposób radzenia sobie z tym ciepłem staje się dużym problemem.Istnieją również wyzwania związane z efektywnością.Podczas szybkiego przełączania MOSFET łatwo traci część swojej energii, co wpływa na wydajność ładowania.Ponadto urządzenia do szybkiego ładowania mają być tak małe, jak to możliwe, ale wymaga to, aby MOSFET był mały i radził sobie z problemem ciepła.Ponieważ MOSFET szybko się przełącza, może zakłócać działanie innego sprzętu elektronicznego, co również stanowi problem.Wreszcie, środowisko szybkiego ładowania ma wysokie wymagania dotyczące napięcia wytrzymywanego i prądu tranzystorów MOSFET, co stanowi test ich wydajności.Długotrwała praca w tym środowisku może również mieć wpływ na ich żywotność i niezawodność.Krótko mówiąc, chociaż MOSFET ma kluczowe znaczenie dla szybkiego ładowania, stoi przed wieloma wyzwaniami.
WINSOKMOSFET może pomóc w rozwiązaniu powyższych problemów.Główne modele zastosowań WINSOK MOSFET w szybkim ładowaniu to:
| Numer części | Konfiguracja | Typ | VDS | Identyfikator (A) | VGS(th)(v) | RDS(WŁ.)(mΩ) | Ciss | Pakiet | |||
| @10V | |||||||||||
| (W) | Maks. | Min. | Typ. | Maks. | Typ. | Maks. | (pF) | ||||
| Pojedynczy | N-Ch | 30 | 50 | 1,5 | 1.8 | 2.5 | 6.7 | 8,5 | 1200 | DFN3X3-8 | |
| Pojedynczy | P-Ch | -30 | -40 | -1,3 | -1,8 | -2.3 | 11 | 14 | 1380 | DFN3X3-8 | |
| Pojedynczy | N-Ch | 60 | 18 | 1 | 2 | 3 | 7 | 9 | 3760 | SOP-8 | |
| Pojedynczy | N-Ch | 100 | 16 | 1.4 | 1.7 | 2.5 | 8.9 | 11 | 4000 | SOP-8 | |
| Pojedynczy | P-Ch | -30 | -8.2 | -1,5 | -2 | -2,5 | 16 | 20 | 2050 | SOP-8 | |
| Pojedynczy | P-Ch | -30 | -13 | -1,2 | -2 | -2,5 | 9.6 | 15 | 1550 | SOP-8 | |
| N+P | N-Ch | 30 | 7 | 1 | 1,5 | 2.5 | 18 | 28 | 550 | SOP-8 | |
| P-Ch | -30 | -6 | -1 | -1,5 | -2,5 | 30 | 38 | 645 | |||
| Pojedynczy | N-Ch | 100 | 85 | 2 | 3 | 4 | 10 | 13 | 2100 | TO-220 | |
Inne numery materiałowe marki odpowiadające powyższemu MOSFETOWI WINSOK to:
Odpowiednie numery materiałowe WINSOK MOSFET WSD3050DN to: AOS AON7318,AON7418,AON7428,AON7440,AON7520,AON7528,AON7544,AON7542.Onsemi,FAIRCHILD NTTFS4939N,NTTFS4C08N.VISHAY SiSA84DN.Nxperian PSMN9 R8-30MLC.TOSHIBA TPN4R303NL.PANJIT PJQ4408P.NIKO- SEM PE5G6EA.
Odpowiednie numery materiałowe WINSOK MOSFET WSD30L40DN to: AOS AON7405, AONR21357, AON7403, AONR21305C.ST Microelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEM P1203EEA,PE507BA.
Odpowiednie numery materiałowe WINSOK MOSFET WSP6020 to: AOS AO4262E, AO4264E, AO4268.Onsemi, FAIRCHILD FDS86450.PANJIT PJL9436.NIKO-SEM P0706BV.Potens Semiconductor PDS6904-5.
Odpowiednie numery materiałowe WINSOK MOSFET WSP16N10 to: AOS AO4290, AO4290A, AO4294, AO4296.VISHAY Si4190ADY.Potens Semiconductor PDS0960.DINTEK ELECTRONICS DTM1012.
Odpowiednie numery materiałowe WINSOK MOSFET WSP4435 to: AOS AO4335, AO4403, AO4405, AO4411, AO4419, AO4435, AO4449, AO4459, AO4803, AO4803A, AO4807, AO4813.Onsemi,FAIRCHILD FDS4465B Z,FDS6685.VISHAY Si4431CDY.ST Mikroelektronika STS10P3LLH6,STS5P3LLH6 ,STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconductor PDS3907.DINTEK ELECTRONICS DTM4435,DTM4437.
Odpowiednie numery materiałowe WINSOK MOSFET WSP4407 to: AOS AO4407, AO4407A, AOSP21321, AOSP21307.Onsemi,FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.ST Microelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6,STS6P3LLH6,STS9P3 LLH6.TOSHIBA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA ,P1003EVG.Potens Semiconductor PDS4903.DINTEK ELECTRONICS DTM4407,DTM4415,DTM4417.
Odpowiednie numery materiałowe WINSOK MOSFET WSP4606 to: AOS AO4606, AO4630, AO4620, AO4924, AO4627, AO4629, AO4616.Onsemi, FAIRCHILD ECH8661, FDS8958A.VISHAY Si4554DY.PANJIT PJL9606.Sinopower SM49 01CSK.NIKO-SEM P5003QVG.Potens Semiconductor PDS3710. DINTEK ELEKTRONIKA DTM4606,DTM4606BD,DTM4606BDY.
Odpowiednie numery materiałowe WINSOK MOSFET WSR80N10 to: AOS AOTF290L.Onsemi,FAIRCHILD FDP365IU.ST Microelectronics STP80N10F7.Nxperian PSMN9R5-100PS.INFINEON,IR IPP086N10N3 G ,IPP086N10N3 G.NXP PSMN9R5-10 0PS.TOSHIBA TK100E08N1,TK100A08N1.Potens Semiconductor PDP0966.
Czas publikacji: 28 listopada 2023 r
