W branży elektroniki i automatyki zastosowanieMOSFETy(tranzystory polowe z tlenkami metali i półprzewodnikami) stały się kluczowym czynnikiem poprawiającym wydajność elektronicznych regulatorów prędkości (ESR). W tym artykule omówimy, jak działają tranzystory MOSFET i jaką rolę odgrywają w elektronicznej kontroli prędkości.
Podstawowa zasada działania MOSFET-u:
MOSFET to urządzenie półprzewodnikowe, które włącza i wyłącza przepływ prądu elektrycznego poprzez kontrolę napięcia. W elektronicznych regulatorach prędkości tranzystory MOSFET służą jako elementy przełączające do regulacji przepływu prądu do silnika, umożliwiając precyzyjną kontrolę prędkości silnika.
Zastosowania tranzystorów MOSFET w elektronicznych regulatorach prędkości:
Wykorzystując doskonałą prędkość przełączania i wydajne możliwości kontroli prądu, tranzystory MOSFET są szeroko stosowane w elektronicznych regulatorach prędkości w obwodach PWM (modulacja szerokości impulsu). Zastosowanie to zapewnia stabilną i wydajną pracę silnika w różnych warunkach obciążenia.
Wybierz odpowiedni MOSFET:
Przy projektowaniu elektronicznego regulatora prędkości kluczowy jest wybór odpowiedniego MOSFET-u. Parametry, które należy wziąć pod uwagę, obejmują maksymalne napięcie dren-źródło (V_DS), maksymalny ciągły prąd upływowy (I_D), prędkość przełączania i wydajność cieplną.
Poniżej znajdują się numery części zastosowań tranzystorów MOSFET WINSOK w elektronicznych regulatorach prędkości:
| Numer części | Konfiguracja | Typ | VDS | Identyfikator (A) | VGS(th)(v) | RDS(WŁ.)(mΩ) | Ciss | Pakiet | |||
| @10V | |||||||||||
| (W) | Maks. | Min. | Typ. | Maks. | Typ. | Maks. | (pF) | ||||
| Pojedynczy | N-Ch | 30 | 50 | 1,5 | 1.8 | 2.5 | 6.7 | 8,5 | 1200 | DFN3X3-8 | |
| Pojedynczy | P-Ch | -30 | -40 | -1,3 | -1,8 | -2.3 | 11 | 14 | 1380 | DFN3X3-8 | |
| Pojedynczy | N-Ch | 30 | 100 | 1,5 | 1.8 | 2.5 | 3.3 | 4 | 1350 | DFN5X6-8 | |
| Pojedynczy | N-Ch | 30 | 120 | 1.2 | 1.7 | 2.5 | 1.9 | 2.5 | 4900 | DFN5X6-8 | |
| Pojedynczy | N-Ch | 30 | 150 | 1.4 | 1.7 | 2.5 | 1.8 | 2.4 | 3200 | DFN5X6-8 | |
Odpowiednie numery materiałów są następujące:
Odpowiedni numer materiału WINSOK WSD3050DN:AOS AON7318,AON7418,AON7428,AON7440,AON7520,AON7528,AON7544,AON7542.Onsemi,FAIRCHILD NTTFS4939N,NTTFS4C08N.VISHAY SiSA84DN.Nxperian PSMN9R8-30 MLC.TOSHIBA TPN4R303NL.PANJIT PJQ4408P. NIKO-SEM PE5G6EA.
Odpowiedni numer materiału WINSOK WSD30L40DN: AOS AON7405, AONR21357, AONR7403, AONR21305C. STMicroelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEMP1203EEA,PE507BA.
WINSOK WSD30100DN56 odpowiedni numer materiału: AOS AON6354,AON6572,AON6314,AON6502,AON6510.Onsemi,FAIRCHILD NTMFS4946N.VISHAY SiRA60DP,SiDR390DP,SiRA80DP,SiDR392DP.STMicroelectronics STL65DN3LLH5, STL58N3LLH5.INFINEON/IR BSC014N03LSG,BSC016N03LSG,BSC014N03MSG,BSC016N03MSG.NXP NXPPSMN7R0- 30YL.PANJIT PJQ5424.NIKO-SEMPK698SA.Potens Semiconductor PDC3960X.
WINSOK WSD30160DN56 odpowiedni numer materiału: AOS AON6382,AON6384,AON6404A,AON6548.Onsemi,FAIRCHILD NTMFS4834N,NTMFS4C05N.TOSHIBA TPH2R903PL.PANJIT PJQ5426.NIKO-SEM PKE10BB.Potens Semiconductor PDC3 902X.
WINSOK WSD30150DN56 odpowiedni numer materiału: AOS AON6512,AONS32304.Onsemi,FAIRCHILD FDMC8010DCCM.NXP PSMN1R7-30YL.TOSHIBA TPH1R403NL.PANJIT PJQ5428. NIKO-SEM PKC26BB,PKE24BB.Potens Semiconductor PDC3902X.
Zoptymalizuj działanie elektronicznego regulatora prędkości:
Optymalizując warunki pracy i konstrukcję obwodu MOSFET-u, można jeszcze bardziej poprawić wydajność elektronicznego regulatora prędkości. Obejmuje to zapewnienie odpowiedniego chłodzenia, wybór odpowiedniego obwodu sterownika i upewnienie się, że inne elementy obwodu również spełniają wymagania dotyczące wydajności.
Czas publikacji: 26 października 2023 r
