Tranzystory MOSFET średniego i niskiego napięcia WINSOK są stosowane w zasilaczach mobilnych

Aplikacja

Tranzystory MOSFET średniego i niskiego napięcia WINSOK są stosowane w zasilaczach mobilnych

Przenośne power banki (znane również jako przenośne ładowarki) są szeroko stosowane w różnych urządzeniach elektronicznych. Wraz z postępem technologii akumulatorów oczekuje się, że przyszłe powerbanki będą lżejsze, będą miały większą pojemność i będą oferować szybsze prędkości ładowania. Inteligentne funkcje i wielofunkcyjność będą również kluczowymi obszarami rozwoju, aby sprostać rosnącemu zapotrzebowaniu na mobilne rozwiązania energetyczne.

Tranzystory MOSFET średniego i niskiego napięcia WINSOK są stosowane w zasilaczach mobilnych

Tranzystory MOSFET w przenośnych powerbankach (przenośnych ładowarkach) stoją w obliczu wyzwań związanych z wydajnością i trwałością. Kluczowe problemy obejmują utratę mocy, niewystarczające zarządzanie ciepłem i problemy z niezawodnością przy dużych obciążeniach, które ograniczają wydajność i żywotność powerbanków.WINSOKMOSFET może pomóc w rozwiązaniu powyższych problemów.

Zastosowania MOSFET średniego i niskiego napięcia WINSOK w zasilaczach mobilnych, główne modele zastosowań:

Numer części

Konfiguracja

Typ

VDS

Identyfikator (A)

VGS(th)(v)

RDS(WŁ.)(mΩ)

Ciss

Pakiet

@10V

(W)

Maks.

Min.

Typ.

Maks.

Typ.

Maks.

(pF)

WST3400S

Pojedynczy

N-Ch

30

5.6

0,5

0,8

1

-

-

525

SOT-23N

WST2316

Pojedynczy

N-Ch

20

5.9

0,3

0,5

1.2

-

-

395

SOT-23-3L

WST3408

Pojedynczy

N-Ch

30

5.5

1

1.4

2

26

32

391

SOT-23-3L

WST2339

Pojedynczy

P-Ch

-20

-7.1

-0,5

-0,5

-1

-

-

2000

SOT-23-3L

WST3409

Pojedynczy

P-Ch

-30

-5.1

-0,7

-1

-1,3

-

43

826

SOT-23-3L

WSD30L120DN56

Pojedynczy

P-Ch

-30

-120

-1,2

-1,5

-2,5

2.9

3.6

6100

DFN5X6-8

WSP4406

Pojedynczy

N-Ch

30

12

1.2

1.9

2.5

9,5

12

770

SOP-8

WSP9926

Podwójny + ESD

N-Ch

20

7.2

0,5

0,7

1.2

-

-

615

SOP-8

WSP9926A

Podwójny + ESD

N-Ch

20

7,5

0,5

0,7

1.1

-

-

620

SOP-8

WSP4435

Pojedynczy

P-Ch

-30

-8.2

-1,5

-2

-2,5

16

20

2050

SOP-8

WSP4407

Pojedynczy

P-Ch

-30

-13

-1,2

-2

-2,5

9.6

15

1550

SOP-8

WSP4953A

Podwójny

P-Ch

-20

-5,8

-0,6

-1.1

-1,7

40

65

625

SOP-8

WSP4606

N+P

N-Ch

30

7

1

1,5

2.5

18

28

550

SOP-8

P-Ch

-30

-6

-1

-1,5

-2,5

30

38

645

WSF70P03

Pojedynczy

P-Ch

-30

-65

-1

-1,6

-2,5

7,5

9,5

3448

TO-252

Inne numery materiałowe marki odpowiadające powyższemu MOSFETOWI WINSOK to:
Odpowiednie numery materiałowe WINSOK MOSFET WST3400S to: AOS AO3400, AO3400A, AO3404.VISHAY Si2374DS.TOSHIBA SSM3K345R.Diodes Incorporated ZXMN3A04DN8,ZXMC3A18DN8,DMC3032LSD,DMC3016LSD.Sinopower SM2314N SA.Potens Semiconductor PDN3643.

Odpowiednie numery materiałowe WINSOK MOSFET WST2316 to: AOS AO3420.Potens Semiconductor PDN2318S.

Odpowiednie numery materiałowe WINSOK MOSFET WST3408 to: AOS AO3404, AO3404A, AO3406, AO3454, AO3456.Onsemi, FAIRCHILD FDN537N.VISHAY Si2366DS,Si2336DS.STMicroelectronics STR2N2VH5.Nxperian PMV25ENEA.TOSHI BA SSM3K333R,SSM3K335R.PANJIT PJA3404,PJA3404A.APEC AP2316GN, AP2326GN.Diodes Incorporated ZXMN3F30FH.Sinopower SM2308NSA,SM2304NSA.NIKO-SEM P3203CMG.Potens Semiconductor PDN3612S.

Odpowiednie numery materiałowe WINSOK MOSFET WST2339 to: AOS AO3413, AO3415A, AO3415A, AO3419, AO3423, AO3435, AO3493, AO3495, AO3499, AO21115C.VISHAY Si2399DS.TOSHIBA SSM3J355R.Sinopower SM 2335PSA.Potens Semiconductor PDN2309S.

Odpowiednie liczby materiałów Winsok MOSFET WST3409 to: AOS AO3401, AO3401A, AO3453, AO3459.VISHAY SI2343CDS.TOSHIBA SSM3J3332R, SSM3J372R.Sinopower SM2315PSA.NIKO-SEM P51033 9s.

Odpowiednie numery materiałowe WINSOK MOSFET WSD30L120DN56 to: AOS AON6403,AON6407,AON6411.PANJIT PJQ5427.Potens Semiconductor PDC3901X.

Odpowiednie numery materiałowe WINSOK MOSFET WSP4406 to: AOS AO4406A, AO4306, AO4404B, AO4466, AO4566.Onsemi, FAIRCHILD NTMS4801N.VISHAY Si4178DY.STMicroelectronics STS11NF30L.INFINEON,IR BSO110N03MS HIBA TP89R103NL.PANJIT PJL9412.Sinopower SM4832NSK,SM4834NSK,SM4839NSK .NIKO-SEM PV548BA,P1203BVA,P0903BVA.Potens Semiconductor PDS3908.

Odpowiednie numery materiałowe WINSOK MOSFET WSP9926 to: AOS AO9926B, AO9926C.Onsemi, FAIRCHILD FDS6890A, FDS6892A, FDS6911.VISHAY Si9926CDY.Potens Semiconductor PDS3808.

Odpowiednie numery materiałowe WINSOK MOSFET WSP9926A to: AOS AO9926B, AO9926C.Onsemi, FAIRCHILD FDS6890A, FDS6892A, FDS6911.VISHAY Si9926CDY.INFINEON,IR BSO330N02K G.Sinopower SM9926DSK.Potens Semiconductor PDS381 0.

Odpowiednie numery materiałowe WINSOK MOSFET WSP4435 to: AOS AO4335, AO4403, AO4405, AO4411, AO4419, AO4435, AO4449, AO4459, AO4803, AO4803A, AO4807, AO4813.Onsemi, FAIRCHILD FDS4465 BZ,FDS6685.VISHAY Si4431CDY.STMicroelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6, STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconductor PDS3907.

Odpowiednie numery materiałowe WINSOK MOSFET WSP4407 to: AOS AO4407,4407A,AOSP21321,AOSP21307.Onsemi,FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.STMicroelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6,STS6P3LLH6,STS9P3 LLH6.TOSHIBA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA, P1003EVG.Potens Semiconductor PDS4903.

Odpowiednie numery materiałowe WINSOK MOSFET WSP4953A to: AOS AO4801, AO4801A, AO4803, AO4803A.Onsemi, FAIRCHILD NTMS5P02.VISHAY Si9933CDY.STMicroelectronics STS4DPF20L.TOSHIBA TPC8129.ROHM QH8JA1.PANJIT P JL9801.APEC AP2P028EM,AP4413GM.Diodes Incorporated ZXMP3A16N8.NIKO- SEM PV521BA.

Odpowiednie numery materiałów WINSOK MOSFET WSP4606 to: AOS AO4606, AO4630.
AOS AO4620,AO4924,AO4627,AO4629,AO4616.Onsemi,FAIRCHILD ECH8661,FDS8958A.VISHAY Si4554DY.PANJIT PJL9606.PANJIT PJL9602.Sinopower SM4901CSK.NIKO-SEM P5003QVG.Potens Półprzewodnik PDS3710.

Odpowiednie numery materiałowe WINSOK MOSFET WSF70P03 to: AOS AOD21357, AOD403, AOD423.Onsemi, FAIRCHILD NVATS4A103PZ.VISHAY SUD50P04.STMicroelectronics STD37P3H6AG, STD40P3LLH6.TOSHIBA TJ60S04M3L.PANJIT D70P03.APEC AP3P9ROH,AP6679BGH.NIKO-SEM PZ0703ED,PD537BA.Potens Semiconductor PDD3959.


Czas publikacji: 24 listopada 2023 r