Przenośne power banki (znane również jako przenośne ładowarki) są szeroko stosowane w różnych urządzeniach elektronicznych. Wraz z postępem technologii akumulatorów oczekuje się, że przyszłe powerbanki będą lżejsze, będą miały większą pojemność i będą oferować szybsze prędkości ładowania. Inteligentne funkcje i wielofunkcyjność będą również kluczowymi obszarami rozwoju, aby sprostać rosnącemu zapotrzebowaniu na mobilne rozwiązania energetyczne.
Tranzystory MOSFET w przenośnych powerbankach (przenośnych ładowarkach) stoją w obliczu wyzwań związanych z wydajnością i trwałością. Kluczowe problemy obejmują utratę mocy, niewystarczające zarządzanie ciepłem i problemy z niezawodnością przy dużych obciążeniach, które ograniczają wydajność i żywotność powerbanków.WINSOKMOSFET może pomóc w rozwiązaniu powyższych problemów.
Zastosowania MOSFET średniego i niskiego napięcia WINSOK w zasilaczach mobilnych, główne modele zastosowań:
Numer części | Konfiguracja | Typ | VDS | Identyfikator (A) | VGS(th)(v) | RDS(WŁ.)(mΩ) | Ciss | Pakiet | |||
@10V | |||||||||||
(W) | Maks. | Min. | Typ. | Maks. | Typ. | Maks. | (pF) | ||||
Pojedynczy | N-Ch | 30 | 5.6 | 0,5 | 0,8 | 1 | - | - | 525 | SOT-23N | |
Pojedynczy | N-Ch | 20 | 5.9 | 0,3 | 0,5 | 1.2 | - | - | 395 | SOT-23-3L | |
Pojedynczy | N-Ch | 30 | 5.5 | 1 | 1.4 | 2 | 26 | 32 | 391 | SOT-23-3L | |
Pojedynczy | P-Ch | -20 | -7.1 | -0,5 | -0,5 | -1 | - | - | 2000 | SOT-23-3L | |
Pojedynczy | P-Ch | -30 | -5.1 | -0,7 | -1 | -1,3 | - | 43 | 826 | SOT-23-3L | |
Pojedynczy | P-Ch | -30 | -120 | -1,2 | -1,5 | -2,5 | 2.9 | 3.6 | 6100 | DFN5X6-8 | |
Pojedynczy | N-Ch | 30 | 12 | 1.2 | 1.9 | 2.5 | 9,5 | 12 | 770 | SOP-8 | |
Podwójny + ESD | N-Ch | 20 | 7.2 | 0,5 | 0,7 | 1.2 | - | - | 615 | SOP-8 | |
Podwójny + ESD | N-Ch | 20 | 7,5 | 0,5 | 0,7 | 1.1 | - | - | 620 | SOP-8 | |
Pojedynczy | P-Ch | -30 | -8.2 | -1,5 | -2 | -2,5 | 16 | 20 | 2050 | SOP-8 | |
Pojedynczy | P-Ch | -30 | -13 | -1,2 | -2 | -2,5 | 9.6 | 15 | 1550 | SOP-8 | |
Podwójny | P-Ch | -20 | -5,8 | -0,6 | -1.1 | -1,7 | 40 | 65 | 625 | SOP-8 | |
N+P | N-Ch | 30 | 7 | 1 | 1,5 | 2.5 | 18 | 28 | 550 | SOP-8 | |
P-Ch | -30 | -6 | -1 | -1,5 | -2,5 | 30 | 38 | 645 | |||
Pojedynczy | P-Ch | -30 | -65 | -1 | -1,6 | -2,5 | 7,5 | 9,5 | 3448 | TO-252 |
Inne numery materiałowe marki odpowiadające powyższemu MOSFETOWI WINSOK to:
Odpowiednie numery materiałowe WINSOK MOSFET WST3400S to: AOS AO3400, AO3400A, AO3404.VISHAY Si2374DS.TOSHIBA SSM3K345R.Diodes Incorporated ZXMN3A04DN8,ZXMC3A18DN8,DMC3032LSD,DMC3016LSD.Sinopower SM2314N SA.Potens Semiconductor PDN3643.
Odpowiednie numery materiałowe WINSOK MOSFET WST2316 to: AOS AO3420.Potens Semiconductor PDN2318S.
Odpowiednie numery materiałowe WINSOK MOSFET WST3408 to: AOS AO3404, AO3404A, AO3406, AO3454, AO3456.Onsemi, FAIRCHILD FDN537N.VISHAY Si2366DS,Si2336DS.STMicroelectronics STR2N2VH5.Nxperian PMV25ENEA.TOSHI BA SSM3K333R,SSM3K335R.PANJIT PJA3404,PJA3404A.APEC AP2316GN, AP2326GN.Diodes Incorporated ZXMN3F30FH.Sinopower SM2308NSA,SM2304NSA.NIKO-SEM P3203CMG.Potens Semiconductor PDN3612S.
Odpowiednie numery materiałowe WINSOK MOSFET WST2339 to: AOS AO3413, AO3415A, AO3415A, AO3419, AO3423, AO3435, AO3493, AO3495, AO3499, AO21115C.VISHAY Si2399DS.TOSHIBA SSM3J355R.Sinopower SM 2335PSA.Potens Semiconductor PDN2309S.
Odpowiednie liczby materiałów Winsok MOSFET WST3409 to: AOS AO3401, AO3401A, AO3453, AO3459.VISHAY SI2343CDS.TOSHIBA SSM3J3332R, SSM3J372R.Sinopower SM2315PSA.NIKO-SEM P51033 9s.
Odpowiednie numery materiałowe WINSOK MOSFET WSD30L120DN56 to: AOS AON6403,AON6407,AON6411.PANJIT PJQ5427.Potens Semiconductor PDC3901X.
Odpowiednie numery materiałowe WINSOK MOSFET WSP4406 to: AOS AO4406A, AO4306, AO4404B, AO4466, AO4566.Onsemi, FAIRCHILD NTMS4801N.VISHAY Si4178DY.STMicroelectronics STS11NF30L.INFINEON,IR BSO110N03MS HIBA TP89R103NL.PANJIT PJL9412.Sinopower SM4832NSK,SM4834NSK,SM4839NSK .NIKO-SEM PV548BA,P1203BVA,P0903BVA.Potens Semiconductor PDS3908.
Odpowiednie numery materiałowe WINSOK MOSFET WSP9926 to: AOS AO9926B, AO9926C.Onsemi, FAIRCHILD FDS6890A, FDS6892A, FDS6911.VISHAY Si9926CDY.Potens Semiconductor PDS3808.
Odpowiednie numery materiałowe WINSOK MOSFET WSP9926A to: AOS AO9926B, AO9926C.Onsemi, FAIRCHILD FDS6890A, FDS6892A, FDS6911.VISHAY Si9926CDY.INFINEON,IR BSO330N02K G.Sinopower SM9926DSK.Potens Semiconductor PDS381 0.
Odpowiednie numery materiałowe WINSOK MOSFET WSP4435 to: AOS AO4335, AO4403, AO4405, AO4411, AO4419, AO4435, AO4449, AO4459, AO4803, AO4803A, AO4807, AO4813.Onsemi, FAIRCHILD FDS4465 BZ,FDS6685.VISHAY Si4431CDY.STMicroelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6, STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconductor PDS3907.
Odpowiednie numery materiałowe WINSOK MOSFET WSP4407 to: AOS AO4407,4407A,AOSP21321,AOSP21307.Onsemi,FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.STMicroelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6,STS6P3LLH6,STS9P3 LLH6.TOSHIBA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA, P1003EVG.Potens Semiconductor PDS4903.
Odpowiednie numery materiałowe WINSOK MOSFET WSP4953A to: AOS AO4801, AO4801A, AO4803, AO4803A.Onsemi, FAIRCHILD NTMS5P02.VISHAY Si9933CDY.STMicroelectronics STS4DPF20L.TOSHIBA TPC8129.ROHM QH8JA1.PANJIT P JL9801.APEC AP2P028EM,AP4413GM.Diodes Incorporated ZXMP3A16N8.NIKO- SEM PV521BA.
Odpowiednie numery materiałów WINSOK MOSFET WSP4606 to: AOS AO4606, AO4630.
AOS AO4620,AO4924,AO4627,AO4629,AO4616.Onsemi,FAIRCHILD ECH8661,FDS8958A.VISHAY Si4554DY.PANJIT PJL9606.PANJIT PJL9602.Sinopower SM4901CSK.NIKO-SEM P5003QVG.Potens Półprzewodnik PDS3710.
Odpowiednie numery materiałowe WINSOK MOSFET WSF70P03 to: AOS AOD21357, AOD403, AOD423.Onsemi, FAIRCHILD NVATS4A103PZ.VISHAY SUD50P04.STMicroelectronics STD37P3H6AG, STD40P3LLH6.TOSHIBA TJ60S04M3L.PANJIT D70P03.APEC AP3P9ROH,AP6679BGH.NIKO-SEM PZ0703ED,PD537BA.Potens Semiconductor PDD3959.
Czas publikacji: 24 listopada 2023 r